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[交流]
【求助完畢】中性絕緣體大slab可不可以忽略偶級修正呢?
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對于defects in solid的dipole correction, 僅僅是異原子取代摻雜,電中性的,可不可以忽略呢?比如Au取代摻雜CeO2(111)的slab結構上CO的催化氧化.沒有看到文獻上交代要用偶級修正呢. 表面反應計算產(chǎn)物脫附的時候,需要吧分子拉到真空層.如果分子碰巧是極性的,那么吸附狀態(tài)的和脫附狀態(tài)的結構可不可以忽略偶級修正呢? 手冊上說帶電solid偶級能量級在0.1V左右.那么是否可以預見大的中性高介電常數(shù)材料的slab偶級的能量影響在0.01eV數(shù)量級? 官方提供的教程Hands-on Session 3計算了CO在Ni表面上的吸附。在計算吸附能的時候沒有考慮偶極修正。 在計算LDOS和功函數(shù)的時候有考慮。 實際上是否考慮偶極修正對CO在Ni(111)上吸附的功函數(shù)有較明顯外,其它方面可以忽略。如下兩圖: [ Last edited by cenwanglai on 2011-3-19 at 15:41 ] |
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Originally posted by bingmou at 2011-02-23 17:18:48: 我覺得如果是電中性的那么就沒有必要進行偶極矩校正了 如果分子是極性的,那么就應該考慮偶極矩校正了 介電系數(shù)越高,偶極矩應該越小,但是你的slab具體多大,介電系數(shù)多高呢? Hands-on的東西只是示范,應該不 ... 比如文獻中常見的CeO2(111)吸附CO。CO是極性分子。一般文獻采用的是10*10 A左右大小,9層原子(三層O-Ce-O單元),真空層高15A. CeO2是絕緣體,介電常數(shù)不知道。這種帶真空層的表面吸附,介電常數(shù)跟bulk CeO2應該是不一樣的。不知道怎么考慮這種介電常數(shù)。 |
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Originally posted by cenwanglai at 2011-02-23 18:17:53: 比如文獻中常見的CeO2(111)吸附CO。CO是極性分子。一般文獻采用的是10*10 A左右大小,9層原子(三層O-Ce-O單元),真空層高15A. CeO2是絕緣體,介電常數(shù)不知道。這種帶真空層的表面吸附,介電常數(shù)跟bulk CeO2應該 ... 如果是在表面的吸附,那就應該和介質(zhì)沒有關系了,就是真空 |
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