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【求助】X射線光電子能譜分析（XPS）和X射線能量色散分析譜儀(EDS)有什么區(qū)別和聯(lián)系
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 材料制備工藝與表征 | EDS 問題 |
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huoxiaodi(金幣+2): 2011-04-07 10:19:52
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二者的原理不同，XPS是分析X射線照射樣品激發(fā)的光電子的能量；EDS是分析電子束照射到樣品后激發(fā)的特征X射線。 從使用的角度： XPS是表面分析手段，分析深度在幾個納米，廣度很寬，在幾十到幾百微米（X射線聚焦困難）。 EDS是表面微區(qū)分析手段，其分析范圍的深度和廣度與加速電壓和被分析材料種類有關。對于掃描電鏡（SEM）配備的EDS，其分析的深度和廣度范圍至少在亞微米級別（空間分辨率除了與電子束斑大小有關，還與特征X射線的激發(fā)范圍有關）。 透射電鏡（TEM）配備的EDS，其分析范圍很小，分析區(qū)域的大小可接近電子束斑的大小，分析幾十個nm大小的區(qū)域。若用場發(fā)射槍（FEG），電子束斑只有1 nm左右，在FEG-TEM上用EDS，最小可分析幾nm范圍。 |
yanan9012樓2011-04-06 20:23:07
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