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求助：請幫忙將一段中文翻譯成英文。謝謝！
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| 當電壓升到0.5V時，隧穿電子才獲得足夠能量激發(fā)起SPP，并使之分布于氧化層的上下界面。SPP向結內穿透，會對隧穿電子產生阻擋作用，相當于增加了電子的平均有效隧穿距離，且不同時刻SPP波場方向處于交變狀態(tài)，這將使部分隧穿電子束縛在結的表面，并在結中來回躍遷，這部分電子不能在回路中流動，因而引起回路中的電流突然下降，這就產生了負阻現象。而此后，隨著電壓的繼續(xù)上升，隧穿電子繼續(xù)增加，用于維持SPP激發(fā)并束縛于界面的電子數變化不大，因此總體上電流又重新回升。 |
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luckyheizi(金幣+50, 翻譯EPI+1): 謝謝！請再幫忙把這句也翻譯下“當隧穿電子穿過MgO到達Fe原子層，激發(fā)其中巡游電子的自旋波，同時也激發(fā)了MgO表面的極化激元和Fe表面的等離子震蕩，造成能量的分散�！� 2011-03-29 11:50:45
| Just when the voltage ascends to 0.5 V, tunneling electrons are able to acquire enough energy to stimulate the SPP and to distribute it on the double interfaces of oxide layer. When SPP penetrating through the knot, it would block the tunneling electrons, which is equivalent to increasing the average effective tunneling distance of electron, and the SPP wave field directions of different moments are in a alternating state. This will restrict partial tunneling electrons to the knot surface with come-and-go transition. This portion of electrons cannot flow in the loop, which results in a sudden decrease of the electric current in the loop and then negative resistance phenomenonthis appears. Henceforth, with the climbing voltage, the tunneling electrons continue to increase. As the quantity of electrons for maintaining excitating SPP and bound to the interface change little,the overall current ascend over again. |
2樓2011-03-29 11:04:22
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