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【求助】VASP算CdSe量子點的能隙
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我想用VASP +U算GaN量子點的能隙�？墒堑贸鰜淼哪芟斗浅Ｐ�，只有0.1eV，請教下大家，這類的計算有什么需要注意的么？ 我計算的步驟是：首先擬合zinc-blende GaN的晶格常數(shù)，構(gòu)建量子點超晶胞的POSCAR（設(shè)置晶胞基矢時，給了10埃的真空層），然后馳豫原子位置，再自洽計算，最后用得出的CHG和CHGCAR算能帶。 馳豫的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = 0 EDIFF = 1E-5 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 馳豫的KPOINTS是： Monkhorst Pack 0 Monkhorst Pack 1 1 1 0 0 0 算能帶的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 1 ICHARG = 11 ISMEAR = 0 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 我不知道超晶胞的KPOINTS文件應該怎么寫，就只算了GAMMA點的（KPOINTS太多的話算起來要要花很久），加上GaN本身也是直接帶隙材料，所以只算gamma點的能帶應該能反應整個量子點的帶隙。 上面的方法有哪些錯了，麻煩大家討論一下，謝謝啦！ |
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