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[求助]
請求關(guān)于分波態(tài)密度的問題~
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| 剛接觸理論計算不久，期望各位大俠，幫解釋一下，DOS，PDOS，LDOS,從這些圖中能看出什么信息，怎么看的，如有相關(guān)文獻，請幫忙推薦，感謝大家 |
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4樓2011-04-20 18:58:03
liuhuimeiwoo
金蟲 (小有名氣)
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2樓2011-04-20 17:22:52
【答案】應助回帖
★ ★
youzhizhe(金幣+2, 1ST強帖+1): 謝謝交流。 2011-04-20 18:46:09
youzhizhe(金幣+2, 1ST強帖+1): 謝謝交流。 2011-04-20 18:46:09
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我來說說半導體吧。 對于半導體，DOS中最簡單的是可以估計能隙大小。雖然準確的大小需要通過能帶結(jié)果進行查看，但是DOS的Gap也不會差距太多。 DOS越尖銳的地方說明該處的能級越局域，很可能是局域在某個原子上面的原子軌道。越寬的能帶則說明非局域型很強，很有可能是共有電子。如果你看一下能帶結(jié)構(gòu)，就會發(fā)現(xiàn)在能量很低的地方都是很局域的，而在靠近費米能級的地方都是比較非局域的 同時DOS和PDOS可以看出價帶頂和導帶底的主要成分。例如SnO2材料中可以發(fā)現(xiàn)價帶頂主要是O的2p軌道貢獻，而導帶底則主要是Sn的5s電子和O的2p軌道共同貢獻。 對于PDOS還可以看出各個軌道的相互作用，如果O的p軌道和Sn的s軌道在多個能量處重合，這說明兩者發(fā)生耦合。如果計算一個金剛石的PDOS，應該可以看到C的p和s在多個能量處重合，也就是所謂的sp3雜化。 LDOS主要是用于分析摻雜原子的情況。例如在SnO2中摻雜Fe原子，就可以看看Fe原子是否對DOS的自旋極化有貢獻，是否所有的極化都來源于Fe原子。 |
3樓2011-04-20 18:04:47
5樓2011-04-20 19:03:27
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