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lm214019銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
n型半導(dǎo)體
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以ZnO為例說明n型半導(dǎo)體形成的四種因素。急求！ [ Last edited by nxl5096224 on 2011-4-20 at 21:39 ] |
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★
zhangwengui330(金幣+3): 歡迎參與討論��！ 2011-04-21 08:08:46
lm214019(金幣+4): 2011-04-26 08:15:42
zhangwengui330(金幣+3): 歡迎參與討論��！ 2011-04-21 08:08:46
lm214019(金幣+4): 2011-04-26 08:15:42
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查閱如下： 本征ZnO常常呈弱n型電導(dǎo)性質(zhì)，這是由ZnO晶體中較為顯著的非化學(xué)計量比所致，即ZnO中的原子比例Zn：O略大于1，即氧空位和鋅間隙的濃度遠遠大于鋅 空位的濃度。 基于熱力學(xué)原理，ZnO晶體中氧空位比鋅間隙更易形成，曾經(jīng)認為氧空位的濃 度大于鋅間隙的濃度，因此本征ZnO中的施主缺陷主要是氧空位。 具體你說的四種因素本人非專業(yè)人士就不知就里了。提供一下上面說法的文獻鏈接，更希望樓主自己從文獻搜素中找答案。 ZnO本征半導(dǎo)體的點缺陷機制分析 |
2樓2011-04-20 20:37:21
lm214019
銀蟲 (小有名氣)
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3樓2011-04-21 10:16:28
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