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石墨烯結(jié)構(gòu)具有7個潛在缺陷 已有3人參與
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美國喬治亞理工學院(GIT)和國立標準與技術研究院(NIST)的科學家近日宣布,他們描繪出石墨烯層結(jié)構(gòu)的7個潛在缺陷,并展現(xiàn)了其中具有最低能量的缺陷示例圖。研究報告刊登在最新一期的《物理評論B》(Physical Review B)上。 這些潛在的缺陷,可使得具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)的石墨烯通過原子向外伸展這樣的方式,釋放在石墨烯生長過程中可能產(chǎn)生的力學應力。 而在電子學研究方面,這些缺陷可能讓電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)并導致反向散射的發(fā)生,從而使材料的電阻升高。但經(jīng)過改進的生長技術或許可以減少缺陷的產(chǎn)生,“在利用碳硅化合物發(fā)展出的生長技術中,我們沒有觀察到這些缺陷”,參與研究的菲利普·費斯特(Phillip First)表示,“生長環(huán)境或者基體制備因素會使材料質(zhì)量變得低下,從而產(chǎn)生缺陷”。 高溫下碳原子的移動也可導致缺陷產(chǎn)生。石墨烯在最低能量下發(fā)生重排,其結(jié)構(gòu)會從標準的六元碳環(huán)轉(zhuǎn)變?yōu)榘逶h(huán)和七元環(huán)的雜亂結(jié)構(gòu),從而形成結(jié)構(gòu)缺陷!熬拖袷怯眉舻秾⑹┎灰(guī)則地剪斷、按順時針轉(zhuǎn)一下,然后接合到原來的位置——實際上這并沒有讓石墨烯還原。”文章第一作者埃里克·科凱恩(Eric Cockayne)說。 費斯特希望小組能進一步研究缺陷的形成是否可控,以及這些缺陷能在多大程度上影響到材料的力學性質(zhì)。 相關儀器及方法:化學氣相沉積法 掃描隧道顯微鏡 透射電子顯微鏡 完成人:埃里克·科凱恩課題組/約瑟夫·斯特羅西奧課題組 實驗室:美國國立標準與技術研究院陶瓷部門、納米尺寸科學與技術中心 喬治亞理工學院物理學院 原文鏈接 |
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