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wangdongh木蟲 (小有名氣)
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[求助]
求助文章的SCI檢索號
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題目：High Surface Area Porous Silicon Carbide Synthesized via Sol-Gel and Carbothermal Reduction Process 期刊：Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 年卷頁碼：vol. 13 issue 3/2011 p. 218-222 |
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yituyitu
木蟲 (正式寫手)
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3樓2011-06-30 19:48:05
shy2400
木蟲 (著名寫手)
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【答案】應(yīng)助回帖
wangdongh(金幣+5): 謝謝 2011-06-30 18:46:14
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High surface area porous silicon carbide synthesized via sol-gel and carbothermal reduction process 作者: Wang DH (Wang, Dong-Hua) 來源出版物: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS 卷: 13 期: 2-4 頁: 218-222 出版年: MAR 2011 被引頻次: 0 參考文獻: 18 引證關(guān)系圖 摘要: A modified sol-gel method is proposed for the preparation of high surface area porous silicon carbide. In this method, furfuryl alcohol and tetraethoxysilane were used respectively as carbon and silicon precursors for preparing a carbonaceous silica xerogel. Polymethylhydrosiloxane (PMHS) was employed as pore-adjusting agent in the sol-gel process. SiC was obtained by the carbothermal reduction of the carbonaceous silica xerogel at 1300 degrees C in argon flow and then purified by removing excess silica, carbon and other impurities. XRD, FTIR, SEM, HRTEM and BET were used to characterize the SiC samples. The results show that the SiC products are found to have high specific surface area of 167 m(2)/g. PMHS has important effect on the surface area, pore volume of the SiC products. The SiC exhibits different photoluminescence properties. 文獻類型: Article 語言: English 作者關(guān)鍵詞: Sol-gel; Polymethylhydrosiloxane; High surface area silicon carbide; Carbothermal reduction; XRD; FTIR; SEM; HRTEM; BET KeyWords Plus: FABRICATION 通訊作者地址: Wang, DH (通訊作者), Weinan Teachers Univ, Dept Chem & Chem Engn, Weinan 714000, Peoples R China 地址: 1. Weinan Teachers Univ, Dept Chem & Chem Engn, Weinan 714000, Peoples R China 電子郵件地址: wangdongh1978@163.com 基金資助致謝: 基金資助機構(gòu) 授權(quán)號 Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province Of China 2010JQ6014 Weinan Teachers University 10YKZ051 [顯示基金資助信息] The authors acknowledge the financial support from Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province Of China (Program No. 2010JQ6014) and the Special Post-graduate Research Projects of Weinan Teachers University (No.10YKZ051). 出版商: NATL INST OPTOELECTRONICS, 1 ATOMISTILOR ST, PO BOX MG-5, BUCHAREST-MAGURELE 76900, ROMANIA IDS 號: 765VX ISSN: 1454-4164 |
2樓2011-06-30 18:32:41
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