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[求助]
晶體中zone T 是什么意思
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| 在薄膜斷面結(jié)構(gòu)描述中經(jīng)�？吹絲one T這個詞，請問誰什么意思，形成T型區(qū)的標志和T型區(qū)的特征是什么？ |
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3樓2011-07-19 21:27:03
白兆山
木蟲 (正式寫手)
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- 專業(yè): 金屬材料表面科學與工程
【答案】應助回帖
★ ★
zhaohaixing(金幣+2): 很不錯的答案 2011-07-15 07:52:41
科學小蔥(金幣+5): 謝謝 2011-07-19 21:26:26
zhaohaixing(金幣+2): 很不錯的答案 2011-07-15 07:52:41
科學小蔥(金幣+5): 謝謝 2011-07-19 21:26:26
| B.A.Movchan和A.V. Demchishin最早提出來薄膜形貌可以分為三個區(qū)1、2、3。三個區(qū)的分界線是“基片溫度(K)與薄膜材料的熔點(K)”的比值。那么0到0.3是1區(qū)，這個區(qū)的“晶粒”生長得非常不好，0.3到0.5是2區(qū)，這個區(qū)的“晶�！鄙L得好，并且晶粒與晶粒緊密結(jié)合，0.5到1就是3區(qū)，這個區(qū)的晶粒尺寸太大，幾乎與薄膜的厚度相同。以這三個區(qū)定義的薄膜生長模式就叫做MD模式，它用來描繪蒸發(fā)薄膜在電鏡下的“晶�！钡男螤睢５搅�1970年前后，J.A. Thornton在這個MD模式的基礎(chǔ)上，以“基片溫度(K)與薄膜材料的熔點(K)”的比值為橫坐標，以濺射氣壓為縱坐標，針對磁控濺射薄膜，在1區(qū)和2區(qū)之間增加了一個過渡區(qū)，也就是在0.1到0.3之間用T區(qū)來形容通常濺射條件下出現(xiàn)的薄膜形貌。對高熔點材料來講，肯定是要避免出現(xiàn)1區(qū)形貌的薄膜，但是一般的工藝參數(shù)無法讓濺射形成的薄膜出現(xiàn)2區(qū)，因此，如果薄膜的形貌屬于T區(qū)，那么至少可以說明薄膜的濺射工藝參數(shù)是正確的。 |
2樓2011-07-10 20:52:13
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