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【答案】應助回帖
xdrein(金幣+4, 基金HEPI+1): 謝謝 2011-11-03 08:20:17
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磷離子注入制備高電導率n型納米金剛石薄膜的研究 負責人：胡曉君 參與人：胡曉君, 侯廣亞, 劉會君, 王旭, 潘金平, 陸利平 金額：35萬 申請時間：2009 學科代碼：金剛石及其他超硬材料(E020602) 項目批準號：50972129 申請單位：浙江工業(yè)大學 研究類型：應用基礎研究 摘要：制備高電導率高遷移率n型納米金剛石薄膜是實現(xiàn)其在電子工業(yè)中應用的關(guān)鍵。針對CVD方法制備的氮摻雜納米金剛石薄膜中雜質(zhì)元素偏聚于晶界，很難摻入到納米金剛石晶粒中，而使納米晶粒對導電貢獻不大，薄膜的Hall遷移率低等問題。本項目提出采用離子注入方法，將磷同時摻入到納米金剛石晶粒和晶界中，控制磷離子劑量在較小范圍并調(diào)控退火溫度，系統(tǒng)研究磷離子注入劑量和退火溫度與納米晶粒尺寸、晶粒導電性能和缺陷態(tài)、晶界寬度、晶界導電性能和薄膜導電性能的關(guān)系，以在納米金剛石晶粒中獲得合適的摻雜水平，減小離化雜質(zhì)散射和離子注入的損傷，使納米晶粒和晶界具有良好n型導電性能，大幅提高磷摻雜納米金剛石薄膜的Hall遷移率和電導率；理解磷摻雜納米金剛石薄膜的導電機理，獲得高電導率n型納米金剛石薄膜的制備技術(shù)，對實現(xiàn)納米金剛石薄膜在電子工業(yè)上的應用具有重要意義。 |
2樓2011-11-02 12:20:11
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