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清清116新蟲 (初入文壇)
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[求助]
u盤的存儲介質是什么材料的
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求助: 就是咱們通常用的u盤,閃存芯片,主要是什么材料,有沒有基本參數呢? |
至尊木蟲 (職業(yè)作家)

金蟲 (著名寫手)
至尊木蟲 (職業(yè)作家)
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網上很多呀 閃存芯片的性能參數 ●采用3. 3V電源; ●芯片內部的存儲單元陣列為(256M +8. 192M) bit ×8bit , 數據寄存器和緩沖存儲器均為(2k + 64) bit ×8bit ; ●具有指令/ 地址/ 數據復用的I/ O 口; ●在電源轉換過程中, 其編程和擦除指令均可暫停; ●由于采用可靠的CMOS 移動門技術, 使得芯片最大可實現(xiàn)100kB 編程/ 擦除循環(huán),該技術可以保證數據保存10 年而不丟失。 閃存芯片的引腳說明 I/ O0~I/ O7 :數據輸入輸出口, I/ O 口常用于指令和地址的輸入以及數據的輸入/ 輸出,其中數據在 讀的過程中輸入。當芯片沒有被選中或不能輸出時, I/ O 口處于高阻態(tài)。 CLE:指令鎖存端,用于激活指令到指令寄存器的路徑, 并在WE上升沿且CLE 為高電平時將指令鎖存。 ALE: 地址鎖存端, 用于激活地址到內部地址寄存器的路徑,并在WE 上升沿且ALE 為高電平時,地址鎖存。 CE: 片選端, 用于控制設備的選擇。當設備忙時, CE 為高電平而被忽略, 此時設備不能回到備用狀態(tài)! E: 讀使能端,用于控制數據的連續(xù)輸出,并將數據送到I/ O 總線。只有在RE的下降沿時,輸出數據才有效, 同時, 它還可以對內部數據地址進行累加! E: 寫使能控制端, 用于控制I/ O 口的指令寫入,同時,通過該端口可以在WE脈沖的上升沿將指令、地址和數據進行鎖存! P: 寫保護端, 通過WP 端可在電源變換中進行寫保護。當WP 為低電平時,其內部高電平發(fā)生器將復位! / B : 就緒/ 忙輸出, R/ B 的輸出能夠顯示設備的操作狀態(tài)。R/ B 處于低電平時,表示有編程、擦除或隨機讀操作正在進行。操作完成后, R/ B 會自動返回高電平。由于該端是漏極開路輸出, 所以即使當芯片沒有被選中或輸出被禁止時, 它也不會處于高阻態(tài)! RE:通電讀操作,用于控制通電時的自動讀操作,PRE 端接到VCC可實現(xiàn)通電自動讀操作! 馰CC :芯片電源端! 馰SS :芯片接地端! 馧C:懸空。 閃存芯片的工作狀態(tài) 1 按頁讀操作 閃存芯片的默認狀態(tài)為讀狀態(tài)。讀操作是以通過4 個地址周期將00h 地址寫到指令寄存器為開始指令,一旦該指令被鎖存,就不能在下頁中寫入讀操作了! 】梢酝ㄟ^寫入隨機數據輸出指令來從一頁中隨機地輸出數據。數據地址可以從將要輸出的數據地址中通過隨機輸出指令自動找到下一個地址。隨機數據輸出操作可以多次使用! 2 頁編程 閃存芯片的編程是按頁進行的, 但它在單頁編程周期中支持多個部分頁編程, 而部分頁的連續(xù)字節(jié)數為2112。寫入頁編程確認指令(10h) 即可開始編程操作,但寫入指令(10h) 前還必須輸入連續(xù)數據。 連續(xù)裝載數據在寫入連續(xù)數據輸入指令(80h)后,將開始4 個周期的地址輸入和數據裝載,而字卻不同于編程的數據, 它不需要裝載。芯片支持在頁中隨機輸入數據,并可根據隨機數據輸入指令(85h)自動變換地址。隨機數據輸入也可以多次使用! 3 緩存編程 緩存編程是頁編程的一種, 可以由2112 字節(jié)的數據寄存器執(zhí)行, 并只在一個塊中有效。因為閃存芯片有一頁緩存, 所以當數據寄存器被編入記憶單元中時它便可以執(zhí)行連續(xù)數據輸入。緩存編程只有在未完成的編程周期結束且數據寄存器從緩存中傳數后才能開始。通過R/ B 腳可以判斷內部編程是否完成。如果系統(tǒng)只用R/ B 來監(jiān)控程序的進程,那么,最后一頁目標程序的次序則必須由當前頁編程指令來安排。 4 存儲單元復錄 該功能可以快速有效地改寫一頁中的數據而不需要訪問外部存儲器。因為消耗在連續(xù)訪問和重新裝載上的時間被縮短, 因而系統(tǒng)的執(zhí)行能力會提高。尤其當塊的一部分被升級而剩下的部分需要復制到新的塊中去時, 它的優(yōu)勢就明顯顯示出來了。該操作是一個連續(xù)執(zhí)行的讀指令, 但不用連續(xù)地到目的地址訪問和復制程序。一個原始頁地址指令為“35h" 的讀操作, 就可以把整個2112 字節(jié)的數據轉移到內部數據緩沖器中。當芯片返回就緒狀態(tài)時,帶有目的地址循環(huán)的頁復制數據輸入指令就會寫入。而該操作中的錯誤程序會由“通過/ 失敗”狀態(tài)給出。但是,如果該操作的運行時間過長,將會由于數據丟失而引起位操作錯誤,從而導致外部錯誤“檢查/ 糾正”設備檢查失效。由于這個原因, 該操作應使用兩位錯誤糾正! 5 塊擦除 閃存芯片的擦除操作是以塊為基礎進行的。塊地址裝載將從一個塊擦除指令開始, 并在兩個循環(huán)內完成。實際上, 當地址線A12~A17 懸空時,只有地址線A18~A28 可用。裝入擦除確認指令和塊地址即可開始擦除。該操作必須按此順序進行, 以免存儲器中的內容受到外部噪聲的影響而出現(xiàn)擦除錯誤。 6 讀狀態(tài) 閃存芯片內的狀態(tài)寄存器可以確認編程和擦除操作是否成功完成。在寫入指令(70h) 到指令寄存器后, 讀循環(huán)會把狀態(tài)寄存器的內容在CE或RE 的下降沿輸出到I/ O。而在新的指令到達前, 指令寄存器將保持讀狀態(tài), 因此如果狀態(tài)寄存器在一個隨機讀循環(huán)中處于讀狀態(tài), 那么在讀循環(huán)開始前應給出一個讀指令。 |

木蟲之王 (文學泰斗)
藍博士

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