版塊導(dǎo)航: 正在加載中...

登錄注冊

應(yīng)《網(wǎng)絡(luò)安全法》要求，自2017年10月1日起，未進行實名認證將不得使用互聯(lián)網(wǎng)跟帖服務(wù)。為保障您的帳號能夠正常使用，請盡快對帳號進行手機號驗證，感謝您的理解與支持！

24小時熱門版塊排行榜

北京石油化工學(xué)院2026年研究生招生接收調(diào)劑公告

返回列表

摘星的人1314

鐵蟲 (初入文壇)

應(yīng)助: 0 (幼兒園)
金幣: 19.5
帖子: 1
在線: 42分鐘
蟲號: 1322440
注冊: 2011-06-14
性別: GG
專業(yè): 等離子體物理

[求助] 求大神給個分享，關(guān)于aix—tron的一手資料啊

關(guān)于愛思強的利用mocvd技術(shù)生產(chǎn)的一些產(chǎn)品資料，價格對我來說蠻重要的，有心的朋友幫個忙吧，懸賞第一時間打到

回復(fù)此樓

» 猜你喜歡

超高溫激光共聚焦顯微鏡拓展脈沖磁場裝置已經(jīng)有0人回復(fù)
材料模擬計算已經(jīng)有0人回復(fù)
有機高分子材料論文潤色/翻譯怎么收費? 已經(jīng)有166人回復(fù)
線能量對超高強度海工鋼熱影響區(qū)組織演變與韌性的影響已經(jīng)有0人回復(fù)
上海大學(xué)生物有機電子材料及器件團隊博士研究生招聘已經(jīng)有17人回復(fù)
【博士招生】材料科學(xué)與工程專業(yè)（金屬類）博士研究生，非誠勿擾。已經(jīng)有137人回復(fù)
使用高溫激光共聚焦顯微鏡原位觀察高強度海工鋼的貝氏體轉(zhuǎn)變已經(jīng)有0人回復(fù)
材料模擬計算已經(jīng)有0人回復(fù)
通過高溫激光共聚焦顯微鏡原位觀察Fe-Al-Ti-O熔體中多種氧化物夾雜物的團聚行為已經(jīng)有0人回復(fù)
通過原位觀察和壓縮試驗對300M鋼的熱加工性進行研究已經(jīng)有0人回復(fù)

» 本主題相關(guān)價值貼推薦，對您同樣有幫助:

【活動】分享自己喜歡的TOC 已經(jīng)有25人回復(fù)
求教一個origin中的問題，求大神指點已經(jīng)有4人回復(fù)
【分享】系統(tǒng)維護優(yōu)化利器Advanced SystemCare Pro 5.1（含注冊碼）【已搜索無重復(fù)】已經(jīng)有51人回復(fù)
關(guān)于結(jié)晶度的問題！已經(jīng)有12人回復(fù)
關(guān)于基金申請、科研項目及結(jié)題方面的問題？已經(jīng)有20人回復(fù)
關(guān)于用準簡諧方法算熱膨脹的問題已經(jīng)有6人回復(fù)
【分享】不用工具"加密"文件夾【已搜索無重復(fù)】已經(jīng)有5人回復(fù)
【分享】[01-05]精挑細選綠色軟件推薦下載[清清心整理]【已搜索無重復(fù)】已經(jīng)有3人回復(fù)
【求助】求助關(guān)于鄰羥基肉桂酸的提取問題已經(jīng)有4人回復(fù)
【求助】一個關(guān)于乳液聚合的問題已經(jīng)有26人回復(fù)
【分享】相人之術(shù)《曾國藩冰鑒全錄》pdf格式上下冊【已搜索無重復(fù)】已經(jīng)有39人回復(fù)

1樓 2011-10-09 12:08:25

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

gaopan1991

銀蟲 (初入文壇)

應(yīng)助: 0 (幼兒園)
金幣: 1381.3
帖子: 39
在線: 60.8小時
蟲號: 1232820
注冊: 2011-03-14
性別: GG
專業(yè): 碳素材料與超硬材料

【答案】應(yīng)助回帖

AIXTRON和VEECO的比較
德國AIXTRON公司(英國THOMAS SWAN公司已被其收購)，大約占60-70%的國際MOCVD市場份額。美國VEECO公司（并購美國EMCORE公司），占30-40%。其它MOCVD廠家主要包括日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric等，其市場基本限于日本國內(nèi)。如日本日亞公司和豐田合成等公司的GaN-MOCVD設(shè)備不在市場上銷售，僅供自用；而日本SANSO公司生產(chǎn)的GaN-MOCVD設(shè)備性能優(yōu)良，但僅限日本市場銷售。從設(shè)備性能上來講，日亞公司設(shè)備生產(chǎn)的材料質(zhì)量和器件性能，要遠優(yōu)于AIXTRON和EMCORE的設(shè)備。本人沒有用過日本的設(shè)備沒有發(fā)言權(quán)，而THOMAS SWAN的設(shè)備占有量很小，不詳細介紹了，主要比較VEECO和AIXTRON。
. r" ]* ~* o4 H/ j
一、VEECO- Q, }- P4 m. ]8 ~ F5 s- W7 r: K" T
1、VEECO采用了高速旋轉(zhuǎn)，但是沒有自轉(zhuǎn)，所以有明顯的within-wafer和ring-ring的均勻性問題，但是run-run 和ring內(nèi)的均勻性極好，這就是為何其設(shè)備比較適合生產(chǎn)LED，因為LED有個binning的步驟，對于ring-ring的均勻性問題可以通過binning 解決，但是如果是生長DFB、VCSEL等外延結(jié)構(gòu)相互關(guān)系緊密且互相影響程度達到可以造成器件整體功能喪失的情況，VEECO則力不從心。
2、另外VEECO設(shè)備除了年度維護外不開爐體，適合大規(guī)模生產(chǎn)，還可以2個托盤交替，只要在年度維護結(jié)束后，對爐體和托盤進行適合的覆蓋性生長，1-2月內(nèi)使設(shè)備穩(wěn)定，就可以放心的使用，同時，在幾個月的時間內(nèi)還是有規(guī)律可以摸索。但是需要注意的是，托盤的更換還是會導(dǎo)致參數(shù)變化。
3、但是，VEECO設(shè)備的爐體比較大，雖然最近進行了縮小，但還是在氣體用量上比較浪費，但是其不可以進一步減小，這和爐體設(shè)計及生長優(yōu)化機理相關(guān)。' x% J  V- V2 v5 `/ E6 \
4、還有就是當使用VEECO生長一些有相互污染的材料，則有殘留問題，而解決就只能拆爐子，這樣就提高了維護成本，所以VEECO適合同一產(chǎn)品的反復(fù)生長。
5 P; k2 r7 b- \5 _7 _
二、AIXTRON* k! L1 x4 H7 v/ S0 E
1、AIXTRON采用了低速旋轉(zhuǎn)加自轉(zhuǎn)，所以明顯改善了同一爐內(nèi)within-wafer的均勻性，如果是生長DFB、VCSEL等外延結(jié)構(gòu)相互關(guān)系緊密的器件，AIXTRON就比較適合。
2、AIXTRON每次需要打開爐體，run-run的均勻性掌握就很關(guān)鍵，而且每次托盤的更換之間只有20次左右的生長，且各種條件均變化，需要每一爐均有一定的調(diào)整。這就是技術(shù)難點所在，但也正是每一次的調(diào)整使我們有了掌握工藝的主動權(quán)，所以可以生長更精密的結(jié)構(gòu)。
3、AIXTRON需要不斷地維護，每次更換托盤需要工藝調(diào)整，同時還經(jīng)常會出現(xiàn)自轉(zhuǎn)速度變化甚至停轉(zhuǎn)，這需要注意。; H6 O. I2 U2 M( }8 f
4、AIXTRON采用中央噴嘴的方式提供源，這就必然產(chǎn)生因為設(shè)計而形成的源不均勻分布，需要注意和調(diào)整。但是我們也可以通過觀察噴嘴和爐體的情況判斷工藝的穩(wěn)定性，這就是AIXTRON靈活性所在。
5、AIXTRON設(shè)備的爐體比較小，在氣體用量上比較節(jié)省。# |7 {8 C9 W9 C. n5 q' x
6、由于爐體的靈活性，對于生長一些有相互污染和殘留效應(yīng)的材料，也風(fēng)險小一些，AIXTRON更可以生長多種產(chǎn)品，并嘗試進行研發(fā)工作。# B# N" S- B$ H4 @) t9 r6 o7 {: ~! ?

三、其他* ~+ a! l, E8 ` G
1、在此，我不想比較2家的服務(wù)態(tài)度，其實服務(wù)態(tài)度的問題只有國內(nèi)才發(fā)生，在國外不多見。這不應(yīng)該成為選購設(shè)備的前提。
2、但是有一點是要注意的，VEECO的MOCVD不是其主營業(yè)務(wù)，它是綜合設(shè)備商，這是他的缺點，優(yōu)點是因為其是EMCORE轉(zhuǎn)過來的，他們的人更有器件的實踐經(jīng)驗，關(guān)系好的話可以得到很多好處。但是要注意你們的技術(shù)優(yōu)點是否被EMCORE通過朋友學(xué)到。而AIXTRON的MOCVD是主營業(yè)務(wù)，比較重視，這是優(yōu)點，但是其一直不是器件廠商，沒有和器件很好結(jié)合的人才，這是缺點。大家自己去平衡。4 N  B% Q* [. T7 J5 V8 K
3、還有，VEECO不會倒，美國一定會維持自己的MOCVD裝備廠商，因為很多是軍工相關(guān)的。% k  s0 S9 F3 }/ q8 ~% P/ c
4、至于THOMAS SWAN，設(shè)備有其特點，用氣量也小，其源的出發(fā)設(shè)計接近VEECO，但是更精密，而爐體的設(shè)計接近AIXTRON，但是沒有自轉(zhuǎn)。他適合很多研發(fā)和高端材料的生長，特別是高純材料，比如PIN結(jié)構(gòu)中的高純度不參雜層，我曾經(jīng)長到14次方的水平，非常的可靠，這個好像VEECO和AIXTRON現(xiàn)有大型均比不過，只有以前的水平式MOCVD可以相比。' t3 G, `6 r. _. G) R
5、各位在購買配件時，如果不是原廠購買，最好尋找那些他們以前的供貨商，臺灣有一些。如果從國內(nèi)的廠商買，雖然可以拿到很好的價格，但是千萬注意不要買到形似而神不似的配件，這樣對工藝就有影響。配件材料的密度、致密度、導(dǎo)熱、熱膨脹系數(shù)、介電常數(shù)、表面粗糙度、配件材料的純度等均十分重要，還有任何配件廠商的更改均需要器件可靠性測試的證明。

切記，MOCVD是藝術(shù)，藝術(shù)的功底不是一簇而就，也不是有個好師傅就可以的，還要有自身的資質(zhì)和修養(yǎng)。1 d$ U5 Z+ [8 v  E

以上只是個人的一點看法，千萬不要作為采購設(shè)備和制定工藝的標準，僅供參考。
藍光LED 光子晶體技術(shù)
摘要0 W" [$ ~ d( o9 x% L5 b
為回避日亞化學(xué)的藍光LED 加螢光粉制技術(shù)專利，各業(yè)者紛紛投入其它能達到散發(fā)出白光的LED 技術(shù)，目前最被期待的技術(shù)是利用UV LED 來達到白光的目的，但是，UV LED 仍舊有著光外漏及低亮度兩個不易克服的困難。使得除了繼續(xù)努力來解決相關(guān)的問題外，不得不再去尋求其它的材料或技術(shù)來達到散發(fā)出白光的LED 技術(shù)。
/ z9 t0 D6 `( |4 ]/ Y) b* T+ ?) p
在1987 年，國籍相異且分居不同地點的兩位學(xué)者，Eli Yablonovitch 與Sajeev John 幾乎同一時間在理論上發(fā)現(xiàn)，電磁波在周期性介電質(zhì)中的傳播狀態(tài)具有頻帶結(jié)構(gòu)，利用兩種以上不同折射率（或介電常數(shù)）材料做周期性變化來達成光子能帶的物質(zhì)。所以光子晶體（PhotonicCrystal）被發(fā)現(xiàn)已將近20 年后的今天，在各領(lǐng)域的應(yīng)用有著相當令人激賞的表現(xiàn)，一直是備受研發(fā)者所關(guān)心的一項技術(shù)。為回避日亞化學(xué)的藍光LED 加螢光粉制技術(shù)專利，各業(yè)者紛紛投入其它能達到散發(fā)出白光的LED 技術(shù)，目前最被期待的技術(shù)是利用UV LED 來達到白光的目的，但是，UV LED 仍舊有著光外漏及低亮度兩個不易克服的困難。使得除了繼續(xù)努力來解決相關(guān)的問題外，不得不再去尋求其它的材料或技術(shù)來達到散發(fā)出白光的LED 技術(shù)。目前利用二次元光子晶體來達到完成白光LED 的技術(shù)，已陸續(xù)出現(xiàn)突破性的發(fā)展，使得未來Photonic Crystal LED 已成為眾所矚目的焦點與擺脫日亞化學(xué)專利的期望寄托。, i. m4 |8 e7 ~0 Z, u
  Z) O8 Y' X; p! |( p
1、光子晶體特性與結(jié)構(gòu)
光子晶體隨著波長不同，會出現(xiàn)于周期性的結(jié)構(gòu)，可以分別發(fā)展出一次元、二次元及三次元的光子晶體。而在這些結(jié)構(gòu)當中，最出名的應(yīng)該是屬于三次元的光子晶體結(jié)構(gòu)，但是，三次元的光子晶體在制造上及商品化，就今天的技術(shù)而言是非常困難的。原因是目前主要研究的領(lǐng)域還是保留在二次元的光子晶體，所以，今天在LED 領(lǐng)域各業(yè)者相競開發(fā)的光子晶體LED，也是二次元的光子晶體。一般的材料構(gòu)造是屬于固定構(gòu)造，所以材料本身會具有的一定的折射率。波數(shù)（Wave Number）與頻率對于一般材料折射率的影響，橫軸是物質(zhì)的波數(shù)（Wave Number）、縱軸是頻率、斜線就代表折射率。折射率是非常等比例的成長，也就是代表說不管什么樣的波數(shù)、什么樣的波長，它的折射率都是一定的。那么光子晶體是什么樣的結(jié)構(gòu)，再從另外一個角度來說明。光子晶體的特性就是周期構(gòu)造，也因此會產(chǎn)生多重反射。光子晶體所構(gòu)成的波數(shù)矢量數(shù)和光的頻率比例，頻率的曲線不是那么單純，曲線已經(jīng)會變得非常復(fù)雜，這個曲線會隨著光的多方向性，就是異向性而出現(xiàn)變化，而隨著它的偏光性，就可以運用來設(shè)計出不同的產(chǎn)品。光子晶體它有一個很出名的特性，相信大家都知道，就是它有一個光能隙。在光能隙這個區(qū)域里面，光線是不存在的。這邊的曲線也跟圖一A 是的斜率意義是一樣的，是折射率的相反。只要在這一點，斜率等于零。所以在這一點以外，光的速度就不會產(chǎn)生零這個現(xiàn)象。所以也可以說，光子晶體也可以控制光的速度。就簡單來說，運用光子晶體的目的濃縮成一句話，就是要利用周期構(gòu)造，以人工的方式來控制這個光學(xué)特性。
F' ]; y4 B0 s- f4 u
2、光子晶體與有固態(tài)發(fā)光元件差異, Z( Y  s. r, }
光子晶體有3 個光學(xué)特性，可以利用人工的方式來加以控制而達到不同的目的。第一個特性是，如果利用光能隙的話，就可以遮蔽光通過。利用這個特性可以把光鎖在一個相當狹小的區(qū)域里面。目前產(chǎn)業(yè)界中，就有利用這個特性把光聚集在一個區(qū)域里面，制作成一個集成電路。另外一個特性是，就是光子晶體有異向性，光子晶體的光會朝向很多方向散射，原因是光子晶體可以隨著光的偏光角度，出現(xiàn)透光與不透光（某個角度它可以透過，但是有些角度是沒辦法透過）。第三個特性就是，光子晶體的曲線非常復(fù)雜、變化多端。因為光子晶體的曲線變化非�？欤浅２灰�(guī)則，所以只要波長稍有變化，那就可以看到進入光子晶體的光，它的角度就會偏離得非常大。在優(yōu)點方面，光子晶體的面積要比傳統(tǒng)集成電路縮小了千分之一，所以，相對的，電路的積集度就比過去增加了1,000 倍。而另一個優(yōu)點是折光性倍數(shù)可以達到以往1,000 倍。另外，也可以利用偏光性，改變光的性質(zhì)，可以將以往正方形的偏光濃縮成以往體積的千分之一。簡單來說，光子晶體它有什么樣的好處與特性？積集度高，體積小，成本低。
. ^2 @$ z1 q6 G/ N  B4 K6 s8 D
3、利用光子晶體制作出LED) R/ O* A2 A% K' O
除此之外，光子晶體還有其它的特性。利用它的特性，可以制作出光子晶體LED。大致上可以分為2 種，一種是LED，一種是雷射二極管（Laser Diode）。LD 雷射二極管部分我們可以分為光子晶體 DFB 雷射二極管（Photonic crystal DFB LD）與Photonic crystal defect LD。光子晶體DFB 雷射二極管是大家比較了解的結(jié)構(gòu)，其雷射值可以控制在非常低的區(qū)域來做發(fā)射，這樣子的結(jié)構(gòu)，是必須存在光能隙的區(qū)域，也因為是如此，所以這樣結(jié)構(gòu)要實現(xiàn)商品化是比較困難。相對的利用光子晶體的結(jié)構(gòu)制作成LED 是比較簡單。有關(guān)光子晶體常常被混淆的部分是，以為是利用DFB 雷射，所以就會有人認為是不是利用特定的周期或波長來運用？其實答案是不對的。理由是DFB 雷射跟光子晶體LD，它的入射（Incident）和衍射（Diffracted）的光是受限制的。但是相對光子晶體的入射光角度和衍射光角度是不受限制的。所以并不是利用特定的周期或波長來加強效率，這個特性對于LED來說是非常重要的。

4、光子晶體藍色LED- V [5 s5 `! n1 r9 ]2 ?% t
利用藍色LED 來制作的白光LED，藍色LED 會發(fā)出藍色的光，但是各個藍色的光會根據(jù)YAG 螢光粉部分會轉(zhuǎn)換成黃光，利用藍色和黃色的光，可以讓LED 產(chǎn)生出白光，白光LED 被應(yīng)用在白光照明燈跟液晶背光的光源，這種白光LED 被稱為固體白色照明。這種光有3 個特色：體積小，省能源，壽命長，但是有一個很大的問題需要克服：比起螢光燈，這樣的白光LED 發(fā)光效率比較差，為了解決這個問題，便可以利用光子晶體來解決這樣的問題。為了克服，藍光LED 發(fā)光效率比較低的問題，可以將光子晶體放在藍光LED 里，利用光子晶體來提高發(fā)光效率，這樣生產(chǎn)出的藍光光子晶體LED 的特色是周期長，要讓發(fā)光效率提升，有幾個很重要的技術(shù)。傳統(tǒng)的LED 制作非常簡單，但是存在的問題點就是發(fā)光效率比較差，因為是傳統(tǒng)的藍光LED表面的全反射，從活性層出來的光線，會被表面全反射掉。這樣的光就沒有辦法發(fā)射到LED外面。針對這個問題，CREE 在制作過程中做了一些改善的動作，在Deformed Chip 中可看到活性層旁邊是一個斜面，利用這樣斜面的結(jié)構(gòu)，可以讓發(fā)光效率提高，同樣是針對提高效率的問題，我們設(shè)計出了二次元的集積表面，利用這樣子的結(jié)構(gòu)，可以讓表面的發(fā)光效率提高，所以我們是利用半導(dǎo)體的Planar 技術(shù)，這是一個很精密的技術(shù)，用來控制這個構(gòu)造。Penetration 是利用二次元的活性層讓光穿過，這樣的結(jié)構(gòu)可以使發(fā)光效率高達80％，但是也有一個問題需要克服，那就是內(nèi)部量子效率會降低。由于為了要讓光透過活性層，就會因為達到透過活性層這個目的而降低內(nèi)部量子效率。Resonant Cavity 是在光子晶體LED 上面加載共振器，這個設(shè)計稱為共振器LED，在LED的周邊，我們配置上光子晶體，利用這個設(shè)計，可以把他LED 效率提高60％，而前面提到我們利用Planar 技術(shù)所開發(fā)出來的Surface Grating 的設(shè)計方式雖然不錯，但是在電流的注入上會有一些問題。與Surface Grating 相較下，雖然Resonant Cavity 在電流的注入上會比較容易，不過，ResonantCavity 本身也會有問題存在，那就是共振器LED 在制作上比較困難，制作困難就代表說成本就會提高，對于LED 大家都希望可以以低成本量產(chǎn)，這就造成了發(fā)展瓶頸，Penetration與Resonant Cavity 這2 個設(shè)計，只是在LED 上面加上一個二次元的設(shè)計，這樣的設(shè)計是可以用上原本既有的LED 上。4 t2 Z7 ?6 ]1 x) B) c$ C

5、光子晶體藍色LED 運作原理
現(xiàn)有的LED 結(jié)構(gòu)，可以看到他的全反射，臨界度是比較小的，主要是因為表面將光全部反射，相對的，光子晶體藍色LED 所設(shè)計出來的LED，由于衍射的關(guān)系，可以修正光的角度，修正后的光可以比臨界角還小，并可進入臨界角投射到外面，改善過去LED 的光會全部反射的問題。從LED 的活性層發(fā)射出來的光，我們可以360 度放射出去，但以往的LED 只能受限于臨界角，只能在臨界角范圍內(nèi)發(fā)光，在臨界角內(nèi)的光才能發(fā)射出去，我們知道臨界角范圍內(nèi)的面積只占整個范圍的4％，所以相對光子晶體的光就比較廣，能有更多的面積將光反射出去，就是利用這個原理將發(fā)光效率提高。4 n6 m8 Y8 }+ Z) m% P4 u
5 k/ O  W  ~' p! Z" N' ~  r* N
6、光子晶體的設(shè)計要點
在光子晶體的設(shè)計上有一些重點，有一個指標是周期這一部分，周期和衍射的距離有關(guān)，如果周期越小，衍射的距離就越大，縱使經(jīng)過修正后還是沒有辦法將光發(fā)射到外面去。相對的如果周期變大，衍射的距離越小，因為這樣的關(guān)系，光就可以移到外面去了，所以在設(shè)計上需要找到一個最適合的周期。還有一個要點就是高度，高度跟衍射的效率有相當緊密的相關(guān)聯(lián)性，實際上并不是所有的光都會受到衍射的影響，受到衍射影響的光都會跟衍射率產(chǎn)生相關(guān)聯(lián)，所以這兩個重要指標就是在開發(fā)光子晶體LED 時，需要計算出最適當數(shù)值的G 值，所以在設(shè)計上就必須經(jīng)過相當精的密計算來取得G 值。而在設(shè)計中，如何去計算出LED 表面需要多少光，可以利用FDTD 計算方式來做一些運算，這個計算方式在光子晶體上是普遍被運用的一個方式。非光子晶體的LED，是屬于表面比較平坦的一種LED。非光子晶體的LED 產(chǎn)生光后，跟空氣接觸的光源那部分，會因為表面全反射掉。而光子晶體LED 的設(shè)計，可以讓光不受反射影響，將光反射到外面。而高度的部分也是成曲線分布，到某一個高度時，效率是最高的，可以看見發(fā)光效率最高的周期是在1.5 微米的地方，而發(fā)光效率最高是0.25 微米，由此可見，在這個區(qū)域是一個非常長的周期，非常短的高度，這就顯示說光子晶體的制作非常簡單，只要找出最適合的周期1.5 微米，比發(fā)光波長還要長的一個周期，然而常說現(xiàn)有的LED 至少要克服這樣的條件，但是從這里的設(shè)計可以看出，即使這個周期很長，還是可以達到高效率，所以對于這種光子晶體設(shè)計，稱之為長周期光子晶體。所以，設(shè)計的光子晶體LED 周期是比較長的，此外，還有另外的一個特色，就是在光子晶體的表面鍍上一整面的薄膜，這個薄膜就是透明電極，透過這個薄膜設(shè)計，光可以從整個面都可以發(fā)光出去。
5 X7 k% L% \9 r1 t, s
7、光子晶體LED 制程
制作的光子晶體LED 上透明電極的影響作的解釋，可以看到，無論有沒有涂上透明電極，對發(fā)光效率并沒有很大影響。根據(jù)這個結(jié)果，我們就很放心的在光子晶體上覆上一層透明電極。利用藍寶石作為基板，再經(jīng)過MOCVD、EB 和RIE ETCHING 等等制程，制作出來二次元的光子晶體LED。根據(jù)我們的說法，目前暫時是利用EB 的方式，但以后在正式量產(chǎn)或商品化時，就會用另一個成本更低的做法，另外還會做乾式（Dry）Etching，再形成一個透明電極和電極板。就理論來說，在計算后的結(jié)果應(yīng)該是高出3 倍的，但是在這次實驗后，得出的結(jié)果卻只有高出50％。分析原因有可能是在光子晶體形成的制造過程中，所使用的數(shù)值并不是最適當?shù)臄?shù)值。所以我們相信，只要改變這個流程，發(fā)光效率應(yīng)該就會像計算的數(shù)值一樣達到3 倍。此外，另外一個可能是在制程中出現(xiàn)一小瑕疵，那就是在芯片中有一個小裂縫，而這個裂縫的出現(xiàn)，也會影響到整個LED 的發(fā)光效能。/ [( n$ d0 s: O" S2 ~. w) C; ~
+ q) w* \2 y4 G8 O7 j5 i" f2 E9 ^
8、透過透明電極可達到大面積的發(fā)光7 f9 D( E9 i) m3 S; t: Y
我們是第一個將光子晶體運用導(dǎo)入藍色LED，而且很成功。發(fā)光效率達到1.5 倍。相信業(yè)界透過這樣不斷的研究，顯示出固體白光照明的商品化應(yīng)該是指日可待的。這個技術(shù)絕對可以運用并量產(chǎn)。另外一點，光子晶體的獨特設(shè)計使得長周期構(gòu)造可以實現(xiàn)。因為這樣的長周期構(gòu)造讓GaN的光子晶體的應(yīng)用更容易實現(xiàn)。另外，經(jīng)過實際的制作后，我們也證實了一件事，在光子晶體的表面都覆上了一整面的透明電極，這樣一個獨特設(shè)計，使得大面積的發(fā)光能夠具體實現(xiàn)。

贊一下

回復(fù)此樓

知識是無窮的，就看你學(xué)不學(xué)

2樓2011-10-31 12:54:43

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

相關(guān)版塊跳轉(zhuǎn) 我要訂閱樓主摘星的人1314 的主題更新