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愛惜花草木蟲 (著名寫手)
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[求助]
問下GaAs半導體的p攙雜和n攙雜是怎么實現的啊?
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新手,最近在研究光伏,對于Si的p攙雜和n攙雜很好理解,即摻入B和P, 我想咨詢下GaAs(以及什么InGaAs之類三元的)在形成PN結的時候它的P區(qū)和N區(qū)是怎么得到的呢? 還有類似什么n++/p++/n+/p+ -GaAs代表什么攙雜類型啊? |
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 材料化工工藝過程問題、實驗過程問題 |
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fds329
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2樓2011-10-26 01:04:03
zhangjwxjtu
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【答案】應助回帖
★ ★
愛惜花草(金幣+20): thks 2011-11-19 08:56:06
nofrunolif(金幣+2): 謝謝討論 2011-11-19 21:21:10
愛惜花草(金幣+20): thks 2011-11-19 08:56:06
nofrunolif(金幣+2): 謝謝討論 2011-11-19 21:21:10
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1、GaAs的P型摻雜一般采用Zn取代Ga；n型摻雜一般采用Si取代Ga，但Si是雙性雜質，也有可能取代As，因此實驗條件的控制至關重要。有時也采用c摻雜。你的生長方法是什么？如果是MOCVD，那么一般用二乙基鋅做P型摻雜劑，硅烷做n型摻雜劑。 2、GaAs(以及什么InGaAs之類三元的)在形成PN結的時候它的P區(qū)和N區(qū)在MOCVD或MBE生長過程中依靠控制有機源或束源爐的流量和生長壓力、溫度、襯底取向等諸多條件可以生長而成。你最好去看一下"化合物半導體”，或“MOCVD”等方面的書籍。  |
3樓2011-11-19 08:48:04
4樓2011-11-19 20:48:51
5樓2014-09-28 11:53:18
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