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ZGmse木蟲 (小有名氣)
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[求助]
有條件發(fā)放金幣~關(guān)于III-V族納米線
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各位蟲友,本人用CVD方法合成III-V納米線將近一年了,但是一直都沒有進(jìn)展。我試過InSb,方法一是蒸發(fā)In粉和Sb粉末(從來沒得過InSb納米線,或者有時得到In2O3納米線。)方法二是蒸發(fā)InSb,用In/Si做基底,可以得到納米線,但主體仍然是雜質(zhì)氧化物納米線(我感覺設(shè)備的真空系統(tǒng)還可以,每次都可以抽到3×10-2Torr左右,再用H2做載氣,怎么會被氧化呢。第一種方法怎么就不出納米線呢?) 我還試過GaSb,主要就是蒸發(fā)Ga和Sb(有文章就是這么做的)。但是這個更讓人崩潰,在1000℃下蒸發(fā)Ga,3個多小時后,竟然在Si基底上幾乎沒有Ga。真是想不出原因啊~~~~ 由于這類材料比較貴,但是老板又想做。壓力很大很大,所以特向善良的蟲友們請教請教,我是否進(jìn)入了誤區(qū),按我的方法根本就制備不出來呢?制備這種納米線的關(guān)鍵之處是什么呢?希望哪位能夠指點(diǎn)一二,在下感激不盡啊。。。。! PS:我用的CVD就是那種最原始的單區(qū)管式爐+真空泵 [ Last edited by lchpy on 2011-11-3 at 15:21 ] |
CVD 好友貼 |
新蟲 (小有名氣)
木蟲 (正式寫手)
金蟲 (正式寫手)
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1、真空系統(tǒng)。你說真空系統(tǒng)還可以,但是每次都有氧化物產(chǎn)生,能說明說明問題呢,我認(rèn)為你的真空度不夠,當(dāng)然了cvd系統(tǒng)的抽真空能力有限,所以這是一點(diǎn),但是我想不是最重要的因素。 2、添加催化劑。可以添加一些過渡金屬催化劑,如Mo、Au、Ni等,催化劑在制備納米線時經(jīng)常用,相信樓主看過相關(guān)文獻(xiàn)了,可以試一試,本人也推薦此方法。 3、不知道樓主做什么納米線,不是所有的納米線都可以用該方法合成的。我想樓主不可能所有的納米線都做吧,呵呵,樓主沒有說實話,課題嘛總一個是主要的,你可以把你的課題,就是真正要合成的物質(zhì)告訴我,我具體問題具體分析,我們可以交流一下。 |
木蟲 (小有名氣)
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