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[求助]
CdTe相關(guān)合成求助
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請問單獨(dú)的CdTe nanocrystall do not show fluorescence,而巰基capped 就會有呢?請有關(guān)的專業(yè)人士解答下,目前合成CdTe nano結(jié)構(gòu)(如nanoeod nanoplate|nanodisk)的方法又有哪些呢? 還有為什么要測試合成出來的樣品的fluorescence spectrum 和absorption spectrum 有什么意義嗎?那量子點(diǎn)的和尺寸比較大的產(chǎn)物光譜圖有什么區(qū)別么?小弟剛開始看文獻(xiàn)好多不懂~ |
專家顧問 (知名作家)
一只小小小小鳥
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專家經(jīng)驗(yàn): +107 |
| 2樓說的不錯(cuò)。巰基包裹可以消除表面缺陷,減少表面復(fù)合,從而可以增強(qiáng)帶邊發(fā)射的熒光。對于量子點(diǎn)而言,其亮點(diǎn)就在熒光,這也是量子點(diǎn)在生物標(biāo)記、LED、太陽能電池等所有應(yīng)用的基礎(chǔ),缺陷太多熒光太弱的量子點(diǎn)什么應(yīng)用都做不了,沒什么意義!所以做量子點(diǎn),熒光光譜和吸收光譜是必測的。半導(dǎo)體納米晶粒徑大到一定程度,大于其玻爾半徑后便沒有量子尺寸效應(yīng)了,也即其PL光譜和吸收光譜不會隨尺寸變化,發(fā)光不能調(diào)節(jié),所以一般研究激子玻爾半徑以下的納米晶,即量子點(diǎn)。對于制法,就太多了,一搜一堆的,不要太懶哦~ |

| 個(gè)人理解: 單獨(dú)得量子點(diǎn),表面上懸建太多,導(dǎo)致吸收光子,后躍遷到導(dǎo)帶上,再返回時(shí),容易跑到懸建上(懸建得能級在價(jià)帶和導(dǎo)帶之間)復(fù)合掉,出不了熒光。CdTe量子點(diǎn) 這玩意得特性就是會發(fā)光,最最一般得研究就是測試他得吸收和發(fā)射鋪涂。看他得粒經(jīng)大小和發(fā)射浦得關(guān)系,粒經(jīng)越小,能級越分離,帶隙越大,發(fā)射得光譜能量越高,越往紫外方向偏,美其名曰藍(lán)移。反之,紅移。 你不做量子點(diǎn), 做他得薄膜也可,現(xiàn)在很熱得他得薄膜太陽能電池。。 你不做膜, 你做他得塊材, 也就是單晶,生長得他得單晶,現(xiàn)在8000多人民幣一cc。哎呀回答,太累了,錯(cuò)字太多, 將就得看吧。 |
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