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中科院蘇州納米所招聘 CVD設備與材料生長博士后
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職位描述 1）半導體CVD設備研發(fā) 2）寬帶隙（GaN 或 SiC) 薄膜外延生長 任職資格 1） 博士畢業(yè)，材料生長或機械設計相關專業(yè)。要求具有CVD或者MOCVD設備實際操作和維護經(jīng)驗，對于設備和工藝研究有濃厚興趣。 2） 具有一項或多項下述技能經(jīng)驗者優(yōu)先：機械制圖（Pro/E, AutoCAD, 或者Solidworks)，模擬仿真(CFD 或者 Fluent), 自動控制 (PLC), 或者部件采購。 工資及福利待遇 按中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所和國家有關規(guī)定執(zhí)行。提供月工資＋績效獎勵＋工業(yè)園區(qū)社會保險（含五險一金）。目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。業(yè)績突出者，博士后出站后可以優(yōu)先留所工作。具體請和人事處工作人員聯(lián)系了解。 應聘方式： 1、應聘者請?zhí)峁﹤�人詳細簡歷； 2、初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試； 3、參加面試初審者需提供：學歷、學位證書復印件以及相關資料； 4、通過面試者到指定醫(yī)院進行體檢，體檢合格者將被錄用。 聯(lián)系方式： 應聘者請將個人簡歷（包括發(fā)表論文情況和所從事的研究工作總結(jié))和兩名推薦人的聯(lián)系方式發(fā)送至：zhang_zehong@hotmail.com 導師張澤洪介紹： 1999年清華大學本科畢業(yè)，2002年中國科學院半導體所碩士畢業(yè)，2005年美國University of South Carolina大學博士畢業(yè)，并從事博士后工作。2006年任職美國硅谷應用材料公司Applied Material, Inc，任資深關鍵客戶技術(shù)師。 2011年，加入中科院蘇州納米所，受聘為研究員、博士生導師。 美國University of South Carolina寬帶隙半導體組是世界頂尖的研究SiC和GaN材料和器件的實驗室。該實驗室的SiC研究曾經(jīng)得到經(jīng)費支持累計約1800萬美元。在該組攻讀博士和博士后期間，主要從事SiC外延CVD設備的研制，工藝開發(fā)，位錯分析及器件測試。在期刊和國際會議文集上發(fā)表第一作者論文十余篇，其中4篇發(fā)表在Appl. Phys. Lett.上。 應用材料公司是全球最大的半導體設備和太陽能設備提供商。在應用材料任職期間，曽為多名關鍵客戶，包括德國原AMD, 新加坡特許半導體，IBM, 臺灣南亞，華亞，華邦，力晶、瑞晶，奇夢達，美光，臺積電等提供大規(guī)模集成電路制造用設備和工藝技術(shù)。曾經(jīng)負責過的設備產(chǎn)品包括MOCVD, CVD, PVD, ALD, PEALD, Preclean等。 目前研究領域為半導體材料，設備和器件 |
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