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關于光折變晶體體相位光柵寫入的問題 已有1人參與
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請問各位大俠們: 做實驗寫入光柵時加外電場,長時間寫入光照射,會導致光柵在去電場時依然存在。 有人認為是由于長時間加外電場,使得晶體內帶電 ,使得晶體產生了電場。 但是我們加上反向電場后,并對電場強度進行調節(jié),并沒有產生明顯變化。所以可能不是由于外電場導致帶電。 各位請幫我分析一下 謝謝 |

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