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fegnzaixie木蟲 (著名寫手)
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[交流]
phosphorescent OLED material design-------high triplet level 已有5人參與
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背景:無論是dopant 還是host,even blocking host material,都應(yīng)該具備高的三線態(tài)能級 討論點:how to design those mateirals with high trilet state level 我的看法:大家可以先從以下方面考慮,energy gap of HOMO--LUMO, singlet state energy level, and triplet state energy level 之間的關(guān)系。貌似可以這么推測具提高LUMO能級應(yīng)該會提高singlet state energy level, 從而提高了三線態(tài)能級? 歡迎討論與剖析觀點 如果有文獻(xiàn)佐證,最好不過 |
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金蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
木蟲 (著名寫手)
銀蟲 (小有名氣)
| HOMO,LUMO是分子軌道能級,S,T是分子所處的狀態(tài)單態(tài)和叁態(tài),從電子在分子軌道上的排布說,S是電子自旋都配對的,T是除了配對的外,有一對是自旋平行的。不太明白樓主所說的設(shè)計高的三線態(tài)是什么含義,基態(tài)是單態(tài)還是三態(tài),給它能量高了它自然就到高能激發(fā)態(tài)了。自旋允許的當(dāng)然容易點,自旋禁阻的就難些,可增大旋軌耦合,通過系間竄越,能量轉(zhuǎn)移等到達(dá)自旋禁阻的狀態(tài)。 |
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