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xiongxiong5712新蟲 (小有名氣)
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[求助]
請(qǐng)教如何優(yōu)化納米線和金屬電極之間的距離
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我在一篇文獻(xiàn)上看到，對(duì)Si納米線兩端接Li電極的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)構(gòu)如下： [eimg]1c/8c/706467_1324305268_152.jpg[/eimg 原文這么說(shuō)的：We simplify the calculation by optimizing the contact distance only due to the computation cost and the fact that data of experimental interface have yet been available for comparison. The contact distance between the electrode and SiNW is optimized by a forcefield method implemented in Materials Studio。 我在Li電極的表面建了一個(gè)Si納米線，用Forcite優(yōu)化，motion group住Si納米線，但是優(yōu)化后Li表面的原子亂了，而Si納米線轉(zhuǎn)了90°，我覺(jué)得肯定是因?yàn)槲业腟i納米線是有限長(zhǎng)度（2nm）的，和Li表面相互作用力太大了引起的，但是又不知道該怎么辦才好，Si納米線應(yīng)該建成無(wú)限長(zhǎng)的嗎？要是的話，Li又該怎么建呢？跪求各位大俠幫幫忙啊，這個(gè)問(wèn)題困擾好久了。非常感謝！ |
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2011-12-19 22:27:17, 728.16 K
2011-12-19 22:33:39, 461.72 K
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xiongxiong5712
新蟲 (小有名氣)
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2樓2011-12-20 15:27:22
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