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sangyungan銀蟲 (小有名氣)
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qfw_68
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3樓2011-12-23 21:49:16
qfw_68
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【答案】應(yīng)助回帖
sangyungan(金幣+2, 博學(xué)EPI+1): ★有幫助 2011-12-24 19:35:49
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二者理想的接觸勢壘為0.49V 僅供參考，請樓主自行驗(yàn)算： α -Si3N4的親和能（導(dǎo)帶Ec到真空能級E0的能量差）為2.1eV ....However, experimental studies of Si3N4 showed that electron affinity in these films is as large as 2.1 eV.... https://apl.aip.org/resource/1/a ... _s1?isAuthorized=no ...α -氮化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度達(dá)5.3eV .... https://www.chvacuum.com/application/film/121681.html 由以上兩條可知，α -Si3N4的費(fèi)米能級位于E0下方4.74eV（即：2.1+5.3/2 eV) 而鋁的功函數(shù)為4.25eV（即鋁的費(fèi)米能級位于真空能級E0下方4.25eV） 根據(jù)上述結(jié)果，可知鋁和α -Si3N4的費(fèi)米能級相差0.49eV，則其接觸勢壘為0.49V 實(shí)際的氮化硅質(zhì)量不同，其費(fèi)米能級位置也略有差異，而鋁和氮化硅的界面態(tài)影響也會有，所以實(shí)際的接觸勢壘可能與0.49V有偏差。 |
2樓2011-12-23 21:45:06
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