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cenwanglai榮譽版主 (知名作家)
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[交流]
【活動:文獻學(xué)習(xí)】從一篇PRB文獻學(xué)習(xí)界面建模,靜電勢分析及按原子層投影DOS分析方法
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第一性原理 | 第一原理資料匯編 | first principle | VASP算例 |
VASP | 表界面計算 |
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我說一下我的思路吧,如果不對還請大家多多指教: 1、從ICSD數(shù)據(jù)庫中找到LAO和STO的晶體結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到Material Studio中。 2、使用Surface切STO和LAO的表面,并構(gòu)建相應(yīng)的超晶胞。 3、使用Build Layers,構(gòu)建(LAO)(STO)(LAO)層。 4、使用Build Vacuum Slab添加真空層。 疑問: 1、這個過程中,LAO和STO之間的層間距如何調(diào)整? 2、LAO和STO之間的層間距如何用Vasp進行優(yōu)化? 3、STO晶格參數(shù)和LAO晶格參數(shù)不同,文獻用STO做基地,STO晶格變形會產(chǎn)生應(yīng)力,這個應(yīng)力怎么計算? |
榮譽版主 (知名作家)
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非常感謝你的參與和回復(fù)。模型做得漂亮。 有個小地方與文中不同: LAO真空層一側(cè)是AlO2, STO一側(cè)是LaO.你的模型在真空層一側(cè)是LaO。 按照文中的模型,兩邊的LAO都是按照LaAlO3化學(xué)劑量比的。如果按照你這個模型,則不是。因此應(yīng)在你的模型兩端,各加一層AlO2層。 [ Last edited by cenwanglai on 2011-12-28 at 20:48 ] |
榮譽版主 (知名作家)
至尊木蟲 (職業(yè)作家)
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LaAlO3/SrTiO3界面體系的研究高潮已經(jīng)快過去。有關(guān)這個體系的理論研究的綜述可 Electronic Phenomena at Complex Oxide Interfaces: Insights from First Principles R. Pentcheva and W. E. Pickett J. Phys.: Condens. Matt. 22, 043001 (2010) 。W. E.Pickett組同其合作者對這個體系做的工作遠比A. A. Demkov多。A. A. Demkov這個組做的東西都很細致。 |
榮譽版主 (知名作家)
木蟲 (正式寫手)
榮譽版主 (知名作家)
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榮譽版主 (知名作家)
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重新做了一個,還是層間距沒法調(diào)整的問題,Material Studio中好像真的是沒有辦法調(diào),看來只能手工調(diào)了。CryatalMaker中倒是可以方便地調(diào)整,但是只能畫圖用,沒法輸出好像。 新作的圖: 附件 |
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榮譽版主 (知名作家)
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