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半導體薄膜異質結制備要求
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本人剛剛接觸半導體材料的制備,想請教一下在制備兩種半導體薄膜PN結結構時,對于制備條件是否要求很高?比如是否需要超高真空?是否需要納米水平的制備技術,例如ALD原子層沉積等。原因是什么,能夠保證交界處的良好接觸來提高電荷傳遞效率嗎? 謝謝~~~ |
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鐵蟲 (正式寫手)
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