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xdweld木蟲 (正式寫手)
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2樓2012-01-25 17:26:08
xinglinzi
木蟲 (正式寫手)
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【答案】應(yīng)助回帖
xdweld(金幣+19, 基金HEPI+1): ★有幫助 2012-01-25 19:57:20
| 鐵電場效應(yīng)晶體管（FFET）存儲器是一種非常理想的存儲方式，而FFET是其中重要的核心單元。將半導(dǎo)體氧化物引入到FFET中有望獲得良好的晶體管特性并且提高保持力。目前，這方面的研究還沒有形成公認(rèn)的材料體系，同時(shí)器件的性能仍有待于提高。因此，本課題同時(shí)將Mg和Al元素?fù)诫s的ZnO薄膜引入到鐵電場效應(yīng)晶體管中，采用磁控濺射法建立以MgxZn1-xO為溝道層、AZO為電極、BNT為柵介質(zhì)層的晶體管模型器件；精確控制薄膜的摻雜量、厚度、濺射參數(shù)與晶體管電學(xué)性能之間的關(guān)系；通過改變退火條件，研究BNT薄膜表面氧空位等缺陷的變化規(guī)律；再深入分析AZO/BNT/MgxZn1-xO之間的界面態(tài)與界面相互作用，結(jié)合晶體管電學(xué)特性測量，闡明界面效應(yīng)對鐵電場效應(yīng)晶體管漏電流和保持特性的影響規(guī)律。本項(xiàng)目的研究，將為FFET材料和工藝的進(jìn)一步研究開發(fā)及深入理解界面行為規(guī)律提供實(shí)驗(yàn)和理論依據(jù) |
3樓2012-01-25 18:03:40
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