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qspan: 回帖置頂 2012-03-02 12:54:55
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作為單層碳原子緊密堆積而成的二維蜂窩狀結(jié)構(gòu)，石墨烯具有極高的載流子遷移率、高透光性、高強(qiáng)度等眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用。目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法主要有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備，而迄今由CVD法制備的石墨烯一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。石墨烯中晶界的存在會(huì)嚴(yán)重降低其質(zhì)量和性能，因此大尺寸單晶石墨烯的制備對(duì)于石墨烯基本物理性質(zhì)的研究及其在電子學(xué)等方面的應(yīng)用具有極其重要的意義。此外，對(duì)于在金屬基體上生長(zhǎng)的石墨烯，生長(zhǎng)后能否高質(zhì)量地將石墨烯從金屬基體轉(zhuǎn)移到其它基體上是實(shí)現(xiàn)其在不同領(lǐng)域應(yīng)用的前提。但現(xiàn)有轉(zhuǎn)移方法大多是將金屬基體腐蝕掉，不僅會(huì)造成石墨烯結(jié)構(gòu)的破壞、基體金屬的殘存和環(huán)境污染，而且會(huì)顯著增加石墨烯的制備成本，尤其不適合化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)的貴金屬上石墨烯的轉(zhuǎn)移。 最近，沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)炭材料研究部的成會(huì)明、任文才研究員帶領(lǐng)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)在大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的制備和無(wú)損轉(zhuǎn)移方面取得重要進(jìn)展。他們?cè)谇捌诔篊VD方法生長(zhǎng)石墨烯的基礎(chǔ)上，提出采用貴金屬鉑作為生長(zhǎng)基體，實(shí)現(xiàn)了毫米級(jí)尺寸六邊形單晶石墨烯的制備（圖1），并制備出由毫米級(jí)單晶石墨烯構(gòu)成的石墨烯薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，多晶鉑和單晶鉑上石墨烯的生長(zhǎng)行為相似，鉑對(duì)甲烷和氫氣較強(qiáng)的催化裂解能力以及反應(yīng)中低濃度甲烷和高濃度氫氣的使用是實(shí)現(xiàn)石墨烯低成核密度并最終制備出大尺寸單晶石墨烯的關(guān)鍵。由于石墨烯與鉑基體熱膨脹系數(shù)差別小，所得石墨烯上褶皺的平均高度僅為0.8納米，遠(yuǎn)小于銅、鎳基體上生長(zhǎng)的石墨烯的褶皺。他們與中科院大連化學(xué)物理研究所包信和研究團(tuán)隊(duì)合作，利用選區(qū)低能電子衍射和低能電子顯微鏡對(duì)單個(gè)石墨烯島進(jìn)行了表征，發(fā)現(xiàn)具有規(guī)則六邊形結(jié)構(gòu)的石墨烯島均為單晶，而邊界處有凹角存在的石墨烯島多為多晶結(jié)構(gòu)。 與此同時(shí)，他們還發(fā)明了一種基于電化學(xué)氣體插層的鼓泡無(wú)損轉(zhuǎn)移方法，可將鉑上生長(zhǎng)的石墨烯轉(zhuǎn)移到任意基體上（圖2）。與現(xiàn)有基于基體腐蝕的傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移方法不同，該轉(zhuǎn)移方法對(duì)石墨烯及鉑基體均無(wú)破壞和損耗，鉑基體可無(wú)限次重復(fù)使用。轉(zhuǎn)移后的石墨烯完整保留了其原有的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量，無(wú)金屬雜質(zhì)殘留（圖3）。該鼓泡轉(zhuǎn)移方法操作簡(jiǎn)便、速度快、無(wú)污染，并且適于釕、銥等貴金屬以及銅、鎳等常用金屬上生長(zhǎng)的石墨烯的轉(zhuǎn)移，金屬基體可重復(fù)使用，可作為一種低成本、快速轉(zhuǎn)移高質(zhì)量石墨烯的普適方法。拉曼光譜研究表明，該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量（圖4）。他們進(jìn)而與北京大學(xué)電子系的彭練矛研究團(tuán)隊(duì)合作，將轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上的單晶石墨烯制成場(chǎng)效應(yīng)晶體管，測(cè)量出該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100cm2V-1s-1（圖4），并有望通過(guò)使用氮化硼基體得到進(jìn)一步提高。 金屬基體上大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的多次重復(fù)生長(zhǎng)為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。該成果得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院等的資助，已申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng)，相關(guān)論文于2月28日在《自然—通訊》上在線發(fā)表（Nature Communications, 2012, DOI: 10.1038/ncomms1702）。 |
74樓2012-03-02 12:53:37
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【中國(guó)科學(xué)報(bào)】大尺寸單晶石墨烯制備獲突破 2012-03-02 | 文章來(lái)源：中國(guó)科學(xué)報(bào) 【大 中 小】【打印】【關(guān)閉】 本報(bào)訊（記者周峰）2月28日，《自然—通訊》雜志在線發(fā)表了中科院金屬所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室成會(huì)明、任文才團(tuán)隊(duì)在石墨烯制備方面取得的一項(xiàng)新突破，他們通過(guò)金屬外延生長(zhǎng)方法，制備出了具有非常優(yōu)異場(chǎng)發(fā)射效應(yīng)的毫米級(jí)單晶石墨烯及其薄膜。 石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用，但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。 目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。 對(duì)于以金屬基體生長(zhǎng)的石墨烯，通常以腐蝕金屬基體的方法來(lái)進(jìn)行轉(zhuǎn)移，不僅存在金屬殘存、轉(zhuǎn)移過(guò)程破壞石墨烯結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，而且污染環(huán)境、成本高、不適合貴金屬基體。 成會(huì)明等采用貴金屬鉑生長(zhǎng)基體，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過(guò)常壓CVD法，成功制備出了毫米級(jí)六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。通過(guò)該研究組發(fā)明的電化學(xué)氣體插層鼓泡法，可將鉑上生長(zhǎng)的石墨烯薄膜無(wú)損轉(zhuǎn)移到任意基體上。 該方法操作簡(jiǎn)便、速度快、無(wú)污染，并且適于釕、銥等貴金屬以及銅、鎳等常用金屬上生長(zhǎng)的石墨烯的轉(zhuǎn)移，金屬基體可重復(fù)使用，可作為一種低成本、快速轉(zhuǎn)移高質(zhì)量石墨烯的普適方法。 該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量，將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場(chǎng)效應(yīng)晶體管，測(cè)量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100 cm2 V-1 s-1。 金屬基體上大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的多次重復(fù)生長(zhǎng)，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。 文章來(lái)源：《中國(guó)科學(xué)報(bào)》 (2012-03-01 A1 要聞) |
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[考研] 313求調(diào)劑 +4 | 肆叁貳壹22 2026-03-19 | 4/200 |
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[考研] 一志愿中國(guó)石油大學(xué)（華東） 本科齊魯工業(yè)大學(xué) +3 | 石能偉 2026-03-17 | 3/150 |
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[考研] 265求調(diào)劑 +9 | 梁梁校校 2026-03-17 | 9/450 |
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[考研] 294求調(diào)劑材料與化工專碩 +15 | 陌の森林 2026-03-18 | 15/750 |
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[考研] 一志愿武漢理工材料工程專碩調(diào)劑 +9 | Doleres 2026-03-19 | 9/450 |
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[考研] 317求調(diào)劑 +5 | 申子申申 2026-03-19 | 9/450 |
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[考研] 一志愿蘇州大學(xué)材料求調(diào)劑，總分315（英一） +5 | sbdksD 2026-03-19 | 5/250 |
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[考研] 一志愿西南交通 專碩 材料355 本科雙非 求調(diào)劑 +5 | 西南交通專材355 2026-03-19 | 5/250 |
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[考研] 298-一志愿中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)-求調(diào)劑 +9 | 手機(jī)用戶 2026-03-17 | 9/450 |
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[考研] 081700化工學(xué)碩調(diào)劑 +3 | 【1】 2026-03-16 | 3/150 |
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[考研] 085601材料工程專碩求調(diào)劑 +10 | 慕寒mio 2026-03-16 | 10/500 |
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[考研] 材料考研調(diào)劑 +3 | xwt。 2026-03-19 | 3/150 |
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[考研] 本科鄭州大學(xué)物理學(xué)院，一志愿華科070200學(xué)碩，346求調(diào)劑 +4 | 我不是一根蔥 2026-03-18 | 4/200 |
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[考研] 0854可跨調(diào)劑，一作一項(xiàng)核心論文五項(xiàng)專利，省、國(guó)級(jí)證書40+數(shù)一英一287 +8 | 小李0854 2026-03-16 | 8/400 |
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[考研] 0703化學(xué)336分求調(diào)劑 +6 | zbzihdhd 2026-03-15 | 7/350 |
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[考研] 301求調(diào)劑 +4 | A_JiXing 2026-03-16 | 4/200 |
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[考研] 一志愿，福州大學(xué)材料專碩339分求調(diào)劑 +3 | 木子momo青爭(zhēng) 2026-03-15 | 3/150 |
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