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[求助]
求助:磁性薄膜材料測得的VSM數(shù)據(jù)改如何處理??
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襯底是單晶硅,薄膜厚度大概40nm,磁化強(qiáng)度比較弱。測得的結(jié)果與正常磁滯回線相比是反的,可能是襯底抗磁性太強(qiáng)。另外振動桿也有一定抗磁性。測量結(jié)果減去空桿抗磁性后還是非常不理想。 在此向各位大俠求助,我想知道大家發(fā)表在paper上的很完美的曲線(注:薄膜材料的)到底是怎么處理出來的???對于薄膜材料一般采取什么樣的測量方法才能得到理想的數(shù)據(jù)? 真心求助薄膜VSM數(shù)據(jù)處理方法,大俠們幫幫忙。! [ 來自科研家族 磁性材料 ] [ Last edited by ever_see on 2012-4-2 at 23:00 ] |

鐵桿木蟲 (著名寫手)
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不知道問題解決沒有, 給樓主一些小參考: 1) 將VSM 設(shè)備的鎖相放大器 M 補(bǔ)進(jìn) (M cal)補(bǔ)到最大,以此放大信號;但是后續(xù)數(shù)據(jù)處理的時(shí)候 Y軸(M 軸)需要采用均一化的單位 (-1~+1); 2)硅基板的襯底也需要去除,建議樓主單獨(dú)測試一次無膜的硅基板; 3)不知道樓主研究什么材料,但是如果面內(nèi)不易磁化,試試面外如何; 4)VSM 相比于SQUID 而言靈敏度不強(qiáng),如果條件允許可以換一種測試方法; 個人拙見,希望對樓主有些許幫助 |
銀蟲 (小有名氣)
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