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[資源]
獲取空位DOS的方法
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以GaN或Ga空位(V_Ga)為例： 1、建立GaN超胞文件：GaN.struct； 2、修改GaN.struct:以H取代其中一個(gè)Ga，并保存； 3、初始化計(jì)算(init_lapw)； 4、手動(dòng)修改以下兩個(gè)文件：(1)將GaN.struct中H的原子序數(shù)由“1”改成“0”；(2)將GaN.in2中電子數(shù)減1； 5、進(jìn)行正常的SCF運(yùn)算和DOS計(jì)算； 6、H的DOS即為空位的DOS。 |
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5樓2013-01-25 20:27:23
huangll99
木蟲 (職業(yè)作家)
- 應(yīng)助: 43 (小學(xué)生)
- 金幣: 775.9
- 帖子: 4051
- 在線: 1447.4小時(shí)
- 蟲號(hào): 1521828
2樓2012-03-29 12:33:33
3樓2012-03-29 14:54:57
| 此方法利用H原子實(shí)現(xiàn)占位的目的，實(shí)際上H的核及電子已經(jīng)被去除(如用xCrysden查看結(jié)構(gòu)，則空位處會(huì)出現(xiàn)一個(gè)名為"X"的元素，而非“H”元素)。我已對(duì)部分半導(dǎo)體摻雜的空位進(jìn)行了測(cè)試，測(cè)試結(jié)果是：用此方法得到的結(jié)果(總能量、磁矩、DOS)與直接用空位得到的結(jié)果很接近。這里只是提出一種可能的思路，至于其是否具有普遍正確性，還請(qǐng)蟲子們多加驗(yàn)證。期待大家能把發(fā)現(xiàn)的問題發(fā)上來討論。 |
4樓2012-03-30 10:21:46
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