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caoxiafei專(zhuān)家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
研發(fā)工程師-Topcon/HJT電池
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[交流]
化學(xué)浴法制備的無(wú)定型態(tài)CdS薄膜的紫外-可見(jiàn)光透射及吸光譜 已有13人參與
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化學(xué)浴法制備的無(wú)定型態(tài)CdS薄膜的紫外-可見(jiàn)光透射及吸光譜 透過(guò)率曲線(xiàn) 吸光度曲線(xiàn)[ Last edited by caoxiafei on 2012-4-9 at 15:01 ] 吸光度A=log（1/T%）,禁帶寬度通過(guò)附件里面的公式計(jì)算！[ Last edited by caoxiafei on 2012-12-27 at 09:28 ] |
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- 附件 2 : 半導(dǎo)體禁帶寬度值Eg計(jì)算方法.pdf
2012-04-09 15:01:44, 198.5 K
2012-12-27 09:25:29, 51 K
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nofrunolif: 金幣+2, 鼓勵(lì)交流 2012-04-07 15:25:40
nofrunolif: 金幣+2, 鼓勵(lì)交流 2012-04-07 15:25:40
| 從透射率曲線(xiàn)中，取透過(guò)率為80%點(diǎn)，作為CdS薄膜開(kāi)始吸光的點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)約為560nm，從吸光度曲線(xiàn)里面，（從長(zhǎng)波到短波）吸光度開(kāi)始增大點(diǎn)也是約為560nm，這么計(jì)算的話(huà)，1240/560=2.21eV,我獲得的無(wú)定型態(tài)CdS薄膜的禁帶寬度約為2.21eV，與文獻(xiàn)中報(bào)道的2.24eV有所差距，可能是由于CdS納米晶的量子效應(yīng)引起的。 |
3樓2012-04-07 15:18:08
4樓2012-04-08 11:14:34
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