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石墨稀單側(cè)加氫 形成能的計算
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石墨稀單側(cè)加氫 形成能的計算 最好附文獻(xiàn)、謝謝~重金懸賞~ |
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 第一性原理 | 雜七雜八 |
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lfhuang
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李佳佳佳: 金幣+10 2012-04-10 20:09:11
liliangfang: 金幣+1, 謝謝交流 2012-04-11 08:36:01
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參考【1】： “The thermodynamic and kinetic properties of hydrogen dimers on graphene”, Surface Science 605, 1489 (2011). http://www.sciencedirect.com/sci ... i/S0039602811002093 公式（1） 參考【2】： "Modulation of the thermodynamic, kinetic, and magnetic properties of the hydrogen monomer on graphene by charge doping", J. Chem. Phys. 135, 064705 (2011). http://jcp.aip.org/resource/1/jcpsa6/v135/i6/p064705_s1 公式（1） 參考【3】： "The diffusion of hydrogen monomers on hole-doped graphitic lattices: over-barrier transition and quantum tunneling", J. Phys.: Condens. Matter 23, 435007 (2011). http://iopscience.iop.org/0953-8984/23/43/435007/ 公式（9）  |
2樓2012-04-10 19:20:47
lfhuang
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liliangfang: 金幣+2, 謝謝交流 2012-04-11 08:36:11
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其實形成能的計算公式有時候也有一定自由度的，也不一定非要局限到單面氫化的石墨烯上。公式定義的自由度主要應(yīng)該在化學(xué)勢的定義上，前面的例子都是以自由的氫原子為參考零點，但有的人喜歡用H2分子能量的一半做為參考。不過單面氫化實驗上用的是單原子氫，所以用自由氫原子為參考所得到的數(shù)值可能會比較有用些。另外，再給您提供兩個基于氫化石墨烯的工作： 【1】“Ab Initio simulation of the kinetic properties of the hydrogen monomer on graphene”, J. Phys. Chem. C 114, 22636 (2010). http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp109160c 【2】"Understanding the band gap, magnetism, and kinetics of graphene nanostripes in graphane", J. Phys. Chem. C 115, 21088 (2011). http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp208067y |
3樓2012-04-10 19:32:32
4樓2012-04-10 20:11:06
lfhuang
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5樓2012-04-10 20:21:54
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6樓2012-04-10 20:28:10
7樓2012-04-13 12:36:03
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