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wang_456456銅蟲 (小有名氣)
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[求助]
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器測(cè)試基體材料的研制
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| 我遇到這樣一個(gè)難題,想用霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器測(cè)量ZnO與ZnS薄膜的電學(xué)性能,這兩種薄膜在實(shí)驗(yàn)過程中是沉積在導(dǎo)電玻璃基體FTO上的,但在測(cè)試的時(shí)候卻遇到了很大的問題,對(duì)半導(dǎo)體基體材料的要求實(shí)在是太高了:不但基體材料的尺寸要小于1×1cm,且基體不能是導(dǎo)體,還要在基體上引出四根導(dǎo)線。我就是想問一下就用FTO導(dǎo)電玻璃作為基體材料來測(cè)ZnO和ZnS薄膜霍爾效應(yīng)系數(shù)及載流子濃度等可行嗎?如果可行的話具體的制樣過程應(yīng)該是什么樣的?哪位高手老師能詳細(xì)的給講一下,不勝感激! |
新蟲 (初入文壇)
專家顧問 (知名作家)
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銅蟲 (小有名氣)
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