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cenwanglai榮譽(yù)版主 (知名作家)
老和山猥瑣派九段
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[求助]
VASP計(jì)算chemistry of materials CeO2摻雜一篇——順求文中配位場(chǎng)理論解釋
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這個(gè)文章亮點(diǎn)在哪里呢？ 對(duì)我們有什么啟示？ 讀了這篇文章，覺得寫得挺好的。不是自己原來想的灌水文章。自己總結(jié)了幾點(diǎn)，以引起大家的關(guān)注。請(qǐng)大家批評(píng)指正： （1）對(duì)O2p加了U修正，讓低價(jià)元素?fù)诫s后的O hole局域到特定O原子上； （2）對(duì)不同摻雜元素加了不同的U。 （3）指出了一個(gè)規(guī)律：摻雜元素傾向于按照自己的氧化物配位方式在CeO2主體成鍵。通過5組兼并d軌道分布來討論了這一點(diǎn)。 （4）下面Fig. 3通過配位場(chǎng)解釋了：摻雜元素與形成氧空位后的宿主形成的變異空間結(jié)構(gòu)。這個(gè)我沒看懂。 （5）我推測(cè)，這個(gè)文章的作者所在的組審過我的文章。一來我推薦過，二來他們的意見就是問：為什么不給O2p加U修正，及O hole的局域的問題。 問題： （1）配位場(chǎng)理論里面講的都是6配體的的空間結(jié)構(gòu)，八面體或者變形八面體可以理解。為什么會(huì)出現(xiàn)cubic和square結(jié)構(gòu)呢？ （2）t2g是dxy,dzy,dxz三個(gè)非鍵軌道。eg*是dz^2和dx^2-y^2兩個(gè)反鍵軌道。這是不是說，決定ML6空間形狀的是M的d軌道的空間伸展？配體的電子，以及M外層s電子都進(jìn)入低能級(jí)a1g,t1u和eg。d電子實(shí)際上都"裸露"在t2g和eg*上？這個(gè)完全不懂，求解釋~。 呵呵 [ Last edited by cenwanglai on 2012-4-18 at 11:00 ] |
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2012-04-17 21:35:46, 2.22 M
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cenwanglai
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cenwanglai
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Graeme Watson同學(xué)的主頁 http://www.tcd.ie/Chemistry/staf ... oup/members/watson/ [ Last edited by cenwanglai on 2012-4-17 at 21:50 ] |
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