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(文獻學(xué)習(xí))一篇計算HfO2表面 結(jié)構(gòu)與原子性質(zhì)的文章
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7.接下來算bulk 的表面布里淵區(qū)投影能帶結(jié)構(gòu),疑問是:處理ENGEIVAL是個大問題 初步計劃,建五個目錄,做五個KPOINTS,稍顯笨拙,但我沒有辦法啊 ![]() K1----- kpoints 20 Line-mode rec 0 0 0 0 0.5 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0 0 0 0 K2---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.125 0 0.5 0.125 0 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0 0 0.125 K3---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.25 0 0.5 0.25 0 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0 0 0.25 K4---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.375 0 0.5 0.375 0 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0 0 0.375 K5--- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0 0 0.5 |
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文章立意:在實際的CMOS器件中HfO2是多晶的,這些晶粒會形成很多的boundary,研究HfO2的表面電子結(jié)構(gòu),有助于理解這些boundary會對器件引起那些影響。例如,如果最穩(wěn)定的HfO2表面是導(dǎo)電的,有一定的金屬性,會引起很大的門極漏電電流。 文章的主體部分: 1.研究各個表面的表面能,通過對比,分析出能量上最favourable 表面。結(jié)論是(111)-O and(110) 最穩(wěn)定。 2.詳細討論了這兩個表面的弛豫,從Hf-O鍵的離子特性對弛豫的細節(jié)進行了解釋 3.研究了這些表面的電子結(jié)構(gòu),分析了它們是導(dǎo)電的還是絕緣的。 解決的問題:HfO2最穩(wěn)定的表面是(111)-O and(110)面,這兩個面是絕緣的,排除了HfO2晶粒boundary引起很大門極漏電電流的可能性。 |
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你可以看一下這個帖子,博主好像有好的辦法,但我不知道該怎么處理EIGENVAL,問博主沒有搭理我 http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f15ead20100haqk.html |
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