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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 功能材料 » 半導體 » 帶隙發(fā)生紅移的原因是？
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houlichun金蟲 (小有名氣)
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帶隙發(fā)生紅移的原因是？
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匿名
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4樓2012-05-01 23:41:02
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【答案】應助回帖
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感謝參與，應助指數(shù) +1
qiqiqiqi: 金幣+1, 回答的很具體 很好~ 2012-05-02 11:02:45
感謝參與，應助指數(shù) +1
qiqiqiqi: 金幣+1, 回答的很具體 很好~ 2012-05-02 11:02:45
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引起“紅移”的因素很復雜,歸納起來有: 1)電子限域在小體積中運動;量子限域效應；2)粒徑減小,內應力(P=2 /r,r為半徑, 為表面能)增加,這種內應力的增加會導致能帶結構的變化,電子波函數(shù)重疊加大,結果帶隙,能級間距變窄,這就導致電子由低能級向高能級及半導體電子由價帶到導帶躍遷引起的光吸收帶和吸收邊發(fā)生紅移;3)能級中存在附加能級,如缺陷能級,使電子躍遷能級間距減小;4)外加壓力使能隙減小;5)空位,雜質的存在使平均原子間距R增大,導致能級間距變小.鍵長的變長。 |
3樓2012-05-01 21:21:26
夢回盛唐
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5樓2012-05-02 08:15:26
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