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步步高升步步金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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[交流]
SiC是氧化溫度 已有6人參與
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| SiC的氧化溫度大概是多少？其大概在什么溫度時(shí)就會(huì)開(kāi)始發(fā)生氧化？ |
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rwjghost
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小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
tjcdp: 金幣+1, 鼓勵(lì)�。� 2012-05-02 19:28:09
dengwei_19: 金幣+1, 專(zhuān)家考核 2012-05-03 08:07:12
dengwei_19: 金幣-1, 以鼓勵(lì) 不重復(fù) 2012-05-03 08:07:36
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dengwei_19: 金幣-1, 以鼓勵(lì) 不重復(fù) 2012-05-03 08:07:36
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SiC電熱元件的氧化性能如下： 元件在空氣中使用到800℃時(shí)開(kāi)始氧化，溫度達(dá)到1000－1300℃時(shí)，發(fā)熱部表面生成一層二氧化硅保護(hù)膜，1300℃時(shí)結(jié)晶出石英，在1500℃時(shí)，保護(hù)膜達(dá)到一定的厚度，從而使 元件的氧化速度變得極為緩慢，趨于穩(wěn)定。如果繼續(xù)升溫至1627℃以上時(shí),則保護(hù)膜 受到破壞，氧化速度顯著增加，造成元件過(guò)早損壞。 LZ最好注明自己的SiC材料用途。。。。否則，這個(gè)數(shù)據(jù)的參考性不是很大 |
2樓2012-05-02 14:46:09
3樓2012-05-02 14:57:38
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dengwei_19: 金幣+2, 有進(jìn)一步文獻(xiàn)說(shuō)明更信服 2012-05-03 08:08:47
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dengwei_19: 金幣+2, 有進(jìn)一步文獻(xiàn)說(shuō)明更信服 2012-05-03 08:08:47
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SiC電熱元件的氧化性能如下： 元件在空氣中使用到800℃時(shí)開(kāi)始氧化，溫度達(dá)到1000－1300℃時(shí)，發(fā)熱部表面生成一層二氧化硅保護(hù)膜，1300℃時(shí)結(jié)晶出石英，在1500℃時(shí)，保護(hù)膜達(dá)到一定的厚度，從而使 元件的氧化速度變得極為緩慢，趨于穩(wěn)定。如果繼續(xù)升溫至1627℃以上時(shí),則保護(hù)膜 受到破壞，氧化速度顯著增加，造成元件過(guò)早損壞。 這個(gè)說(shuō)的不全面吧，你們說(shuō)的SiC制品，對(duì)于粉體來(lái)說(shuō)，與粒度關(guān)系很大，實(shí)際上粒徑在0.5微米左右的在700度就開(kāi)始氧化了。 |
5樓2012-05-03 01:10:11
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6樓2012-05-03 01:11:10
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10樓2012-05-03 08:48:15
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