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[求助]
關(guān)于VASP計算后，要得到差分電子密度圖時所用的HKL文件設(shè)置問題
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計算ni團(tuán)簇在nacl表面上的吸附有一段時間了，期間修改了多種參數(shù)�，F(xiàn)在有得到一些結(jié)果想做下差分密度圖，但是對于HKL文件的設(shè)置不是很清楚。 主要是HKL文件中第三和第四行的2個矢量設(shè)計問題，不清楚這2個矢量是以POSCAR中的基矢來配置還是i,j,k基矢來配置。還有就是那個第五行的相移是什么意思，是不是用來表征我要處理的平面？先謝謝大家了。 |
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