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yssyc

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6樓: Originally posted by condensed at 2012-05-09 06:52:17:
GaAs材料中摻硅材料可不可以改變禁帶寬度呢？？？

The band gap must be changed by doping Si in GaAs. The gaps of the two materials are different. If the structure is not changed, the gap for your d ...

謝謝你，那摻雜后的禁帶寬度是在硅和GAAS之間，還是不一定在兩者之間，知道變高變低的趨勢么？

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11樓2012-05-09 18:38:19

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【答案】應助回帖

引用回帖:

11樓: Originally posted by yssyc at 2012-05-09 18:38:19:
謝謝你，那摻雜后的禁帶寬度是在硅和GAAS之間，還是不一定在兩者之間，知道變高變低的趨勢么？

Vegard's Law, Maybe .... Maybe ....

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12樓2012-05-10 00:22:37

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【答案】應助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yssyc: 金幣+9, ★★★很有幫助, u r so kind 金幣都給你！ 2012-05-10 15:16:54

From Wikipedia, the free encyclopedia
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In metallurgy, Vegard's law is an approximate empirical rule which holds that a linear relation exists, at constant temperature, between the crystal lattice parameter of an alloy and the concentrations of the constituent elements. [1] [2]

For example, consider the semiconductor compound InPxAs1-x. A relation exists between the constituent elements and their associated lattice parameters, \mathit{a}, such that:

\mathit{a}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{a}_{InP} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{InAs}

One can also extend this relation to determine semiconductor band gap energies. Using InPxAs1-x as before one can find an expression that relates the band gap energies, \mathit{E_g}, to the ratio of the constituents and a bowing parameter \mathit:

\mathit{E_g}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{E_g}_{InP}+(1-\mathit{x})\mathit{E_g}_{InAs}-\mathit{bx}(1-\mathit{x})

When variations in lattice parameter are very small across the entire composition range, Vegard's law becomes equivalent to Amagat's law.

References

^ L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921.
^ Harvard.edu A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991.

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13樓2012-05-10 00:27:20

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13樓: Originally posted by condensed at 2012-05-10 00:27:20:
From Wikipedia, the free encyclopedia
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In metallurgy, Vegard's law is an approximate empirical rule which holds that a linear relation exists, at constant temperature ...

那通過將Si和GaAs的禁帶寬度帶入第二個公式就可以了吧，可是不知道x的值怎么辦？

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14樓2012-05-10 16:27:51

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5樓: Originally posted by condensed at 2012-05-09 06:43:28:
Materials Studio
In fact, every code can solve this problem, e.g., PWSCF, VASP, WIEN2K ..

兄弟，你拿 WIEN2K做一個試試，不要誤導...

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15樓2012-05-10 16:33:07

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15樓: Originally posted by pere at 2012-05-10 16:33:07:
兄弟，你拿 WIEN2K做一個試試，不要誤導...

誤導？？
誰在誤導？？
用WIEN2K 做，和別的軟件有什么本質(zhì)區(qū)別？？你講講

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yssyc

16樓2012-05-11 01:05:54

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14樓: Originally posted by yssyc at 2012-05-10 16:27:51:
那通過將Si和GaAs的禁帶寬度帶入第二個公式就可以了吧，可是不知道x的值怎么辦？

這個公式是比較粗糙的，我估計只是個近似的線性關系，X 是你替換的比例啊

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17樓2012-05-11 06:51:58

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15樓: Originally posted by pere at 2012-05-10 16:33:07:
兄弟，你拿 WIEN2K做一個試試，不要誤導...

不急不急，好好說，送朵花謝謝你

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18樓2012-05-11 10:17:44

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16樓: Originally posted by condensed at 2012-05-11 01:05:54:
誤導？？
誰在誤導？？
用WIEN2K 做，和別的軟件有什么本質(zhì)區(qū)別？？你講講

慢慢說，有問題討論么，送朵花先

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19樓2012-05-11 10:18:56

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16樓: Originally posted by condensed at 2012-05-11 01:05:54:
誤導？？
誰在誤導？？
用WIEN2K 做，和別的軟件有什么本質(zhì)區(qū)別？？你講講

，

20樓2012-05-11 10:26:38

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