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[資源]
石墨烯中晶格扭曲(strain)引起的超300T贗磁場
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由緊束縛計(jì)算可知,當(dāng)石墨烯中存在各向異性的拉伸時(shí),會產(chǎn)生矢量場.這個(gè)矢量場可以對石墨烯中的pi電子產(chǎn)生與外磁場相識的效果.加州大學(xué)伯克利分校的M.F. Crommie在Pt表面高溫生長石墨烯冷卻后由于晶格失配在二維石墨烯中產(chǎn)生了很多的三維的氣泡狀結(jié)構(gòu)(高0.3-2個(gè)納米左右).由于扭曲(strain),在氣泡結(jié)構(gòu)上用掃描隧道譜觀測到了相當(dāng)于300特斯拉的朗道能級. Recent theoretical proposals suggest that strain can be used to engineer graphene electronic states through the creation of a pseudo–magnetic field. This effect is unique to graphene because of its massless Dirac fermion-like band structure and particular lattice symmetry (C3v). Here, we present experimental spectroscopic measurements by scanning tunneling microscopy of highly strained nanobubbles that form when graphene is grown on a platinum (111) surface. The nanobubbles exhibit Landau levels that form in the presence of strain-induced pseudo–magnetic fields greater than 300 tesla. This demonstration of enormous pseudo–magnetic fields opens the door to both the study of charge carriers in previously inaccessible high magnetic field regimes and deliberate mechanical control over electronic structure in graphene or so-called “strain engineering.” |
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2012-05-24 16:12:19, 559.68 K
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