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跪求 自腐蝕電位和自腐蝕電流與抗蝕性的關系
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CD4MCu 在不同濃度硫酸中的腐蝕 45% (x) Ecorr = -499.656 mV vs. Ref (x) Icorr = 0.078 uA 60% (x) Ecorr = -488.459 mV vs. Ref (x) Icorr = 0.267 uA 75% (x) Ecorr = -260.341 mV vs. Ref (x) Icorr = 85.639 uA 從電流看 濃度越高,抗腐蝕性越差 但是從自腐蝕電位看,卻相反。。。 不解。 求掃盲,急著交論文,可是數(shù)據(jù)一堆不能用。 904L 和 CD4MCU是不是在常溫的硫酸中 都是表現(xiàn)為 隨著濃度越高 抗蝕性越差? 有沒有特殊的溫度 跪求掃盲 |
電化學 |
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