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manny捐助貴賓 (初入文壇)
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[求助]
如何用高斯模擬光電子譜PES
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文獻中看到有人用高斯模擬了光電子譜,橫坐標是binding energy,縱坐標沒有給出,文獻中說用TDDFT算激發(fā)態(tài),然后得到光電子譜。請問,具體怎么去計算呢? 激發(fā)態(tài)和光電子譜貌似沒有關(guān)系啊,TDDFT得到的是吸收光(或發(fā)射光)譜線,而光電子譜是類似光電效應(yīng),把電子打出去。所以比較糊涂。 哪位高人指點一下。 |
用戶注銷 (正式寫手)
金蟲 (正式寫手)
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光電子能譜(PES)和光電子譜(PE)應(yīng)該不是一個概念吧,前者是計算鍵能、判斷成鍵組成和特性(用NBO等), 本質(zhì)是電子軌道上的電子電離。后者我理解為是激發(fā)態(tài)計算, 本質(zhì)是電子軌道上電子的躍遷, 躍遷到高能態(tài)過程成為吸收, 點在在高軌道不穩(wěn)定、壽命很短,很快又下降到低軌道, 發(fā)射的出光為發(fā)射光譜。 這些光譜還可以細分。 PE光電子能譜(電離)在Gaussian中有OVGF, P3, SAC-CI, 劇作者Ortiz給我親口說可能在接下來的版本中加入ADC(3) 都可算. PE光電子譜(躍遷)在Gaussian中有多種TDDFT密度泛函、CASSCF、ZINDO等半經(jīng)驗、 CASSCF+MP2、SAC-CI、EOM-CCSD 針對不同分子大小自己選擇合適的方法和基組. |
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