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半導體能隙大小和電化學電勢的聯(lián)系!
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| 對于理論知識不太懂得我,最近遇到了這樣一個問題:半導體的導帶電勢和價帶電勢的大小是通過什么方法和電化學的電極電勢聯(lián)系起來的?比如,TiO2的導帶電勢為(-0.5eV vs SHE),價帶電勢為(2.8eV vs SHE),它們是以標準氫電極為參考的。所以就不明白光激發(fā)產(chǎn)生的能量帶隙(也可以說是導帶和價帶能量的大。┖碗娀瘜W電勢是什么關系,希望知道這方面知識的大牛們給點介紹,或是介紹點參考資料也好! |
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