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氧化鋅薄膜的結構與性質 已有14人參與
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2 氧化鋅薄膜的結構與性質 優(yōu)質的ZnO薄膜具有C軸擇優(yōu)取向生長的眾多晶粒,每個晶粒都是生長良好的六角形纖鋅礦結構,晶格常數a=0.325nm,c=0.521nm;瘜W計量比ZnO為寬帶隙半導體,禁帶寬度約3.3eV,具有紫外截止特性,ZnO薄膜的電阻率高于10-8Ωcm。改變生長、摻雜或退火條件可形成簡單半導體,導電性能大幅提高,電阻率可降低到10-2Ωcm數量級。ZnO薄膜在可見光范圍內光透過率高達90%,可以用作優(yōu)質的太陽電池透明電極,然而它在紫外(UV)和紅外(IR)光譜范圍內有強烈的吸收作用,這一性質被利用作為相應光譜區(qū)的阻擋層。ZnO還具有熔點高、制備簡單、沉積溫度低和較低的電子誘生缺陷等優(yōu)點。硅基生長的ZnO有希望將光電子器件制作與傳統(tǒng)的硅平面工藝相兼容。另外,在透明導電膜的研究方面,摻鋁ZnO膜(AZO)也有同ITO膜可比擬的光學電學性質。 ZnO薄膜的高電阻率與單一的C軸結晶擇優(yōu)取向決定了它具有良好的壓電常數與機電耦合系數,可用作各種壓電、壓光、電聲與聲光器件。因具有電阻率隨表面吸附的氣體濃度變化的特點,ZnO薄膜還可用來制作表面型氣敏元件。通過摻入不同元素,可應用于還原性酸性氣體、可燃性氣體、CH族氣體探測器、報警器。此外,它還在藍光調制器、低損失率光波導、液晶顯示、光催化、電子攝影機、熱反射窗等領域具有潛在應用。 紅色部分是什么意思?10的負八到付二是電阻率降低了? [ Last edited by weibaobao on 2012-8-10 at 16:26 ] |

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