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[交流]
關(guān)于太陽(yáng)能電池的光吸收 已有4人參與
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這個(gè)問(wèn)題可能有點(diǎn)弱 就是p和n-type那個(gè)是光吸收層，還是二者都是光吸收層？ pn的上下順序有什么說(shuō)道么？ 謝謝！ |
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4樓2012-08-25 09:30:07
shizijun
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2樓2012-08-24 17:44:28
anothershot
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小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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P，N區(qū)都可以作為吸光層。至于誰(shuí)上誰(shuí)下，這個(gè)其實(shí)的確差別。舉個(gè)例子： 一般空穴遷移率小于電子，那么也就是說(shuō)空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度低一些，那么某個(gè)位置的光生空穴是否有命到結(jié)區(qū)分離的幾率是比電子來(lái)說(shuō)小的。那么對(duì)于某些吸收系數(shù)較低的材料，典型如silicon，基本上要幾百微米才能基本吸收禁帶以上的光，那么吸收所產(chǎn)生的光生載流子是否能被結(jié)區(qū)電場(chǎng)所分離，取決于相應(yīng)光生少子的壽命。那么對(duì)于silicon來(lái)說(shuō)，一般電池肯定希望大部分區(qū)域是輕P型摻雜的，那么大部分的區(qū)域吸收的光子產(chǎn)生的光生電子才能最大限度的被抽取。也就是說(shuō)，上面的一薄層應(yīng)該是n型重?fù)诫s的emitter。下面才是p型層。這里的考慮主要是來(lái)自于電子空穴的差別； 然而對(duì)于吸收系數(shù)好的三五族材料來(lái)說(shuō)，吸收深度比較小，因此不存在上面說(shuō)的要求。因此PN,NP原則上沒(méi)有很大區(qū)別。不過(guò)實(shí)驗(yàn)上P上N下的配置取得了更高的效率 |
3樓2012-08-25 01:01:23
常四爺
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5樓2012-08-27 19:14:13
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