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禁帶banggap變窄的原因是什么?
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兩種物質(zhì)A和B混合,A的質(zhì)量一定隨著B的添加禁帶帶寬在變小。 請問怎么解釋變小的原因。 紫外光譜是紅移。計(jì)算上時(shí)符合變小的。 原因是什么? 請教大家給講講。 |
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木蟲 (正式寫手)
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首先,金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)電的原因:電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電; 其次,您說的B應(yīng)該是一種雜質(zhì)吧,對于p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體,其禁帶寬度會因存在受主能級(雜質(zhì))和施主能級而導(dǎo)致禁帶寬度變小。 例如:在本征半導(dǎo)體純硅單晶中加入雜質(zhì)磷和硼可生成n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體:硅單晶的禁帶寬度為1.1ev,而施主雜質(zhì)產(chǎn)生的施主能級與空帶之間的寬度為0.044ev;硼產(chǎn)生的受主能級與滿帶之間寬度為0.045ev,可見n型和p型半導(dǎo)體是很容易導(dǎo)電的。 |

木蟲 (著名寫手)

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