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摻銀量非常小,電阻率下降非常多,怎么解釋? 已有3人參與
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我做的是硫化銦薄膜,摻Ag量估算為0.2at%,(非常少了,眼屎大小的銀還沒蒸發(fā)完),電阻率下降了10的5次方量級,不知道怎么解釋。 硫化銦是銦缺陷密度高的半導體,n型。 目前的想法是,Ag的摻入占據(jù)了In空位,引入施主能級;費米能級是不是要提高一些;如此小的摻雜量卻有如此大的變化,是不是可以認為Ag的影響是類似于某種長程作用的影響。 求大神幫忙! |

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