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third167銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
小白求助！光刻一個周期柵狀電極
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如題，在鈮酸鋰單晶上面刻，有大神是否這么做過？ 類似于身表面波器件上的叉指狀電極。 如圖，黑條代表電極的金屬部分，空白是沒有電極的部分。 對 光刻 這種 維納加工一點不了解，使用正膠還是反膠好啊 要是能指導(dǎo)我昨晚這項工作，或者對我指點一二，必有酬謝！ 電極.jpg [ Last edited by kunpeng1782 on 2012-10-24 at 16:45 ] |
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【答案】應(yīng)助回帖
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third167: 金幣+3, ★★★很有幫助 2012-10-29 16:23:05
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third167: 金幣+3, ★★★很有幫助 2012-10-29 16:23:05
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這和聲表的叉指沒啥區(qū)別，只是鈮酸鋰片子有熱靜電效應(yīng)，比較容易碎片。 至于用正膠還是負膠，其實沒有什么關(guān)系，隨情況而定。關(guān)鍵看你的線寬和金屬電極的材料。如果是線寬較粗，金屬又是比較容易腐蝕的，那么用正膠，做腐蝕工藝比較容易。如果線寬細，金屬又是屬于比較難腐蝕的比如金，那么就用負膠或者反轉(zhuǎn)膠，做剝離工藝。如果線條很細，不能采用光學(xué)光刻，只能做電子束光刻，那還是用正膠做腐蝕或者刻蝕比較好。 不知道你有沒有光刻的條件？樣品的規(guī)格是怎樣的？如果需要光刻膠或者光刻的服務(wù)，都可以站內(nèi)聯(lián)系我。 |
2樓2012-10-24 17:01:12
quanten
金蟲 (著名寫手)
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
third167: 金幣+6, ★★★★★最佳答案 2012-10-29 16:22:59
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third167: 金幣+6, ★★★★★最佳答案 2012-10-29 16:22:59
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first solution positive mask, negetive resist 1. Wafer baking, 180/10min 2. LOR 3A spinning 3000rpm, 180/5min 3. nLof 2020 spinning, 3000rpm, 110/1min30s 4. Mask align1, 3S 5. Post baking, 110/1min 6. Development , MIF 326/40s 7. Lift-off, EPR PG at room temperature Second solution EBL 1. e-beam-Lithographie - 2-Lagen-PMMA Vorbehandlung Belacken Ausheizen Plasma Heizplatte RR-Bereich Lack Drehz [U/min] Dicke [nm] Heizplatte Temp [°C] Zeit 190°C/5' AR-P649.04 4000 150 set190 2' Belacken Ausheizen RR-Bereich Lack Drehz [U/min] Dicke [nm] Heizplatte Temp [°C] Zeit AR-P669.04 4000 220 set 180 2' Belichtung Entwicklung Stop Tempern Belichter dose E [mW] Kontaktart Entwickler Zeit Medium Zeit e-beam 250 µC/cm2 -- -- AR 600-55 2 '/Megas. Isopropanol 5' -- |
3樓2012-10-24 22:27:20
4樓2019-07-31 12:40:40
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