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shelay木蟲 (正式寫手)
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[求助]
vasp表面計(jì)算的結(jié)構(gòu)優(yōu)化問題
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大家好,我想用vasp計(jì)算表面結(jié)構(gòu)的一些性能,我的做法是先做表面結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,再計(jì)算性能,優(yōu)化結(jié)構(gòu)時(shí)選擇ISIF=3,但是每次都是真空層都優(yōu)化得沒有了(注:真空層厚15A,足夠大了),不知道怎么回事啊? 另外我用castep采用基本上一致的參數(shù)優(yōu)化真空層就不會(huì)消失,我看論壇里有些同學(xué)用ISIF=2或其它,但是我個(gè)人認(rèn)為是不是ISIF=3才是全優(yōu)化啊,一直為此很糾結(jié),計(jì)算也一直沒什么進(jìn)展,請(qǐng)大家不吝賜教,感謝! |
計(jì)算化學(xué)-輔助工具 |
至尊木蟲 (著名寫手)
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ISIF=3優(yōu)化 真空層沒有很正常! 如果你創(chuàng)建的slab是asymmetric slab,那需要fix the bottom few layers to estimate the bulk properties,采用ISIF=2 to relax the top few layers。 如果你創(chuàng)建的slab是symmetric slab,那你可以 采用ISIF=3 to relax all the atoms,但是如果體系比較大,那計(jì)算量比較大,一般不這么操作。對(duì)于symmetric slab模型,一般fix the middle few layer,然后relax 上下 top的few layers。 |

鐵桿木蟲 (著名寫手)

木蟲 (正式寫手)
至尊木蟲 (著名寫手)
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POSCAR中Selective dynamics關(guān)鍵詞是否設(shè)置? 你按照manual上slab的POSCAR設(shè)置來就行操作!癐SIF=3且用T F 來選擇性fix原子”這個(gè)沒試過,(感覺沒有意義,所以沒有嘗試), asymmetric slab和symmetric slab的差別:字面意思很好理解啊,一不對(duì)稱的slab,一個(gè)對(duì)稱性的slab,不對(duì)稱性slab,比如你現(xiàn)在構(gòu)建的直接在Z方向添加15angstrom的真空層,就屬于asymmetric slab(此時(shí),fix the bottom few layers)。symmetric slab就是在Z軸正負(fù)方向均添加15angstrom真空層。fix the middle few layers。 |

木蟲 (正式寫手)
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