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lhtlx95新蟲 (小有名氣)
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[求助]
用castep進行結構優(yōu)化的遇到的一些問題
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第一性原理和電化學 | 量化計算有意義的討論 | 刺客 | good resources |
分子模擬 | xuexijisuan |
木蟲 (正式寫手)
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我也是剛剛接觸,說下我的理解 1、收斂測試是根據(jù)一系列幾何優(yōu)化,做出能量曲線,固定K點,測試不同截斷能下的能量,然后再固定截斷能,測試不同K點的能量。這樣做出曲線,找能量低的點或相對穩(wěn)定的點,不一定是能量最低的參數(shù)。 2、贗勢的選取不是固定的,你可以對同一體系進行幾個函數(shù)的測試,然后選取與實驗值相對接近的,也可根據(jù)文獻中的做,看看別人都用什么,差別不是很大,主要是因為近似方法不同。另外,同一個體系用的是相同的函數(shù),不是對每個原子進行函數(shù)設置。 3、自旋極化是針對有磁性的體系,如果體系沒有磁性不必選擇。+U是對結果進行修正的,當理論結果與實驗結果相差較大時才考慮+U,而且U值也不是隨便加的。 4、晶格盡量接進吧,這個沒什么標準,相差越小,說服力越強。 只是個人愚見 |

新蟲 (小有名氣)
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以下是我對于不同K點采樣,結構優(yōu)化的部分結果,請各位蟲友幫忙分析分析,謝謝大家了! 葉臘石的分子式為[Al4Si8O20(OH)4],選取單胞進行結構優(yōu)化,應用GGA PW91 SCF tolerance選ultra-fine,贗勢選ultrasoft,energy cutoff為1000eV,優(yōu)化前的晶格參數(shù)采用文獻中的實驗值: a = 5.1614 alpha =91.03 b =8.9576 beta =100.37 c =9.3511 gamma = 89.75 K點為gamma 1*1*1: Final energy = -11699.17257731eV(energy not corrected for finite basis set) BFGS: Geometry optimization completed successfully. a = 5.129166 alpha = 90.538497 b = 8.926322 beta = 100.989057 c = 10.271161 gamma = 89.928407 若在此結構的基礎上,進一步選用K點為2*1*1,其它參數(shù)不變,進一步優(yōu)化的話,結果為 Final energy = -11700.65856341 eV(energy not corrected for finite basis set) BFGS: Geometry optimization completed successfully. a =5.208909 alpha = 91.585907 b = 9.065611 beta = 101.762757 c = 10.297746 gamma = 89.687502 K點為gamma 2*2*1: Final energy = -11700.70882827 eV(energy not corrected for finite basis set) BFGS: Geometry optimization completed successfully. a = 5.209092 alpha = 91.650536 b = 9.053941 beta = 100.404049 c = 10.210943 gamma = 89.675816 |
木蟲 (正式寫手)
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1、根據(jù)我看到的相關資料,在利用castep進行計算時,需要對參數(shù)(主要是截斷能和K點)進行收斂性測試。在論壇中一個帖子上,有同行提到“將體系總能量和晶格常數(shù)組為幾何優(yōu)化的目標物理量,但能量截斷值大于某一能量值或k點取樣達到一定密度時,總能量和晶格常數(shù)將趨于一穩(wěn)定值”,請問各位蟲友,收斂性測試具體如何進行?比如,通過什么具體的方法得到晶格常數(shù)對K點采樣的穩(wěn)定值。 我的回答:收斂測試是必須的,這對相對陌生的系統(tǒng)來說尤為重要。 我覺得,比較方便的辦法就是如你上一個帖子那樣,通過改變k點數(shù)量來進行。 但是我認為你需要依賴幾個方面的信息再進行類似的測試: 1. 對稱性,尤其是第一布里淵區(qū)的形狀,可以根據(jù)不同波失的長度來確定每個方向上應該取多少個k點。 當然,原則上越多越好。 2、在一篇相關的文獻中看到:“The pseudopotentials we used for Si, Al, and O were generated with the core electrons treated using the same Perdew -Wang 91 GGA as for the valence electrons in contrast to the common practice of generating pseudopotentials using the LDA then using the GGA approximation for valence electrons! 此論文也用的是castep方法,請問各位蟲友,在castep中如何選擇各元素的贗勢,是不是如下圖,在potentials選項卡中選擇,那么同一元素不同的贗勢有什么區(qū)別,以及如何選擇芯電子和價電子的贗勢? 我的回答:這個potential感覺應該是文章作者自己用PW91生成的,我在6.0的CASTEP中沒有發(fā)現(xiàn)這幾個元素用PW91生成的贗勢。 他們在計算的時候,用的GGA也是PW91,所以可以保證前后一致性。 3、我所要計算的模型葉臘石的分子式為[Al4Si8O20(OH)4],請問此結構在做結構優(yōu)化時是否需要考慮自旋極化,如果需要考慮的話,是否需要用LDA+U的方法以及initial spin如何設定?或者能夠推薦相關的資料或者書籍,謝謝。 我的回答:這幾個元素看著不太像有自旋極化的情況,不過可以考慮加入看看是否最終能帶或者dos上有沒有相應的體現(xiàn)。 至于LDA+U則是完全不用考慮的,在這個體系里面電子關聯(lián)效應應該是很低的。 4、結構優(yōu)化后的結果和實驗結果對比的話,根據(jù)大家的經(jīng)驗,一般模擬的晶格參數(shù)與實驗結果相差多少時就認為模擬的結果是合理的? 我的回答: 當然是相差百分比越低越好,不過通常5%以內就已經(jīng)可以認為是很不錯的結果了。但是也要考慮靠實驗是否足夠靠譜,低精度的實驗不見得比理論更可信。 |
新蟲 (小有名氣)
送鮮花一朵 |
謝謝樓上的詳細回復!你的解答使我理解了不少!不過我還有一些問題需要請教。 1、您提到的“ 1. 對稱性,尤其是第一布里淵區(qū)的形狀,可以根據(jù)不同波失的長度來確定每個方向上應該取多少個k點。 當然,原則上越多越好”如何理解,或者應該看哪方面的資料!謝謝。 2、我對葉臘石進行優(yōu)化主要參考的文獻之一是“Ab initio computational crystallography of 2:1 clay minerals Pyrophyllite-1Tc”,文中應用GGA的PW91,相關參數(shù)選擇如下圖1。得到的優(yōu)化結果如下圖2。我在優(yōu)化時選取的截斷能較文獻中的400eV更大,為1000eV,其他參數(shù)相同,可優(yōu)化的結果c的差距較大,請問各位蟲友,不知下一步我該怎么做?拜托 |
木蟲 (正式寫手)
新蟲 (小有名氣)
送鮮花一朵 |
謝謝您的指點,可我還有一些困惑: 1、有些資料上說收斂性測試是改變截斷能或K點對系統(tǒng)進行單點能計算,你說是對系統(tǒng)進行結構優(yōu)化,到底哪種方法是正確的?而且,我做過比如固定截斷能,改變K點對同一系統(tǒng)進行結構優(yōu)化,如果總能趨于穩(wěn)定,但晶格常數(shù)卻變化很大,那該如何處理?就是說通過什么途徑的到晶格常數(shù)的穩(wěn)定值。 2、上圖給出的選項卡中,應該就是對每個元素可以進行贗勢的選擇,關鍵是什么時候需要選擇,選擇的標準是什么? 3、您說自旋極化是針對有磁性的體系,請問如何判斷體系是否有磁性(不好意思,本人原本不是學化學的,可能問的問題比較低級),或者我給出的這個體系[Al4Si8O20(OH)4]是否具有磁性? 4、晶格參數(shù)和實驗越接近就越好的話,除了調節(jié)截斷能、K點以及贗勢的種類,還可以通過調節(jié)哪些參數(shù)提高計算的準確度,以及選擇這些參數(shù)有什么標準? 請各位蟲友多多指教。! |
新蟲 (小有名氣)
新蟲 (小有名氣)
木蟲 (正式寫手)
新蟲 (小有名氣)
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