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明月秋風(fēng)寒鐵蟲 (初入文壇)
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[交流]
TMAH腐蝕硅片時(shí)保護(hù)硅片表面的鋁電極 已有4人參與
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| 小弟在做MEMS工藝時(shí)由于操作失誤，在還沒有進(jìn)行TMAH腐蝕時(shí)把光刻膠去掉了，由于硅片表面有臺階結(jié)構(gòu)，因此不能再次甩膠了。文獻(xiàn)上說TMAH腐蝕鋁的速率基本為0，但是為了保險(xiǎn)起見，還是想在TMAH腐蝕硅前在表面增加一層保護(hù)鋁電極的的保護(hù)層，各位大神有好的建議嗎？ |
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 yswyx關(guān)于腐蝕/刻蝕的回復(fù) |
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exciting1973 
禁蟲 (正式寫手)
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2樓2012-11-08 10:17:18
yswyx 
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TMAH是腐蝕鋁的，速度肯定比硅快，哪個(gè)文獻(xiàn)上說不腐蝕的？盡胡扯啊。 如果你需要保護(hù)鋁膜，可以用PECVD在硅片上做一層SiO和SiN（無氫），然后用光刻，腐蝕，在需要腐蝕硅的位置，把SiO/SiN薄膜用HF腐蝕出窗口。然后再進(jìn)行TMAH的腐蝕，鋁膜會被SiO/SiN保護(hù)起來。這里要注意的是，PECVD的薄膜會有針孔以及含H，所以很疏松，你要找能夠做不含H的PECVD做。 另外一個(gè)辦法就是找抗堿的光刻膠，用spray coating的辦法噴到片子表面，然后做光刻，露出需要時(shí)腐蝕的硅的部分，再去做TMAH腐蝕。 另外，這個(gè)方法你是逃不掉的，因?yàn)槠胀ǖ墓饪棠z是扛不住TMAH的，所以你在腐蝕前把做鋁膜的光刻膠去掉是必須的，這不屬于失誤。 最后，需要注意的是，你算好腐蝕的深度，算好腐蝕的時(shí)間，來確定SiO/SiN薄膜的厚度，或者是抗堿光刻膠的厚度。 |
3樓2012-11-08 15:39:23
明月秋風(fēng)寒
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4樓2012-11-09 12:06:00
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8樓2014-07-30 16:56:03
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9樓2014-07-30 18:04:08
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