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月下冰魂木蟲 (正式寫手)
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[求助]
MOS器件Id-Vg曲線中,縱坐標(biāo)單位問題
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| 如題,在測試MOSFET器件的轉(zhuǎn)移特性曲線中,縱坐標(biāo)一般是Drain Current ID,單位是安培,但是有些文獻(xiàn)中將其單位換成了 (μA/μm),不知道um是什么,是柵極的W,還是L,還是其他的呢?用這個單位有什么好處呢,求助哇 |

木蟲 (正式寫手)

木蟲 (小有名氣)
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