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[交流]
si的禁帶寬度是1.1eV，為什么很少人拿這個來做光催化劑？
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| Si的禁帶寬度只有1.1eV，這樣的話，入=1240/1.1=約1127nm，這么說，太陽光的利用率很高了啊。我知道半導(dǎo)體的硅要求很高，但是現(xiàn)在的工藝條件已經(jīng)可以工業(yè)化生產(chǎn)了啊，最高可以達(dá)到14N，這說明技術(shù)上已經(jīng)不是問題了。我知道太陽能電池里面，單晶硅是最好的了，但 是，為什么不能用硅來做光催化降解，深感疑惑，所以在這里和大家交流一下，大家知道的可以講講^^ |
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crykro: 金幣+5 2013-02-28 13:58:15
pzypdl: 金幣+2, 謝謝回帖交流！ 2013-02-28 13:58:20
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
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pzypdl: 金幣+2, 謝謝回帖交流！ 2013-02-28 13:58:20
| Si的禁帶寬度1.1eV？是指帶隙Eg吧？光催化劑活性取決于有效載流子(電子空穴對)的密度，除了跟半導(dǎo)體導(dǎo)帶--價帶位置有關(guān)外，還跟半導(dǎo)體類型有關(guān)。Eg小光電轉(zhuǎn)換效率和有效載流子密度未必高。雖然Eg小，理論上吸收光子多、產(chǎn)生的電子空穴對多，但Si是間接帶隙半導(dǎo)體，即電子本證激發(fā)從價帶躍遷到導(dǎo)帶，不僅需要改變能量，還要改變動量，需要聲子參與，而聲子對激子躍遷起關(guān)鍵性作用。當(dāng)然Si中既有間接帶隙又有直接帶隙，只是直接帶隙相對間接帶隙的能量更高，而直接帶隙產(chǎn)生的電子空穴對容易復(fù)合。綜合來說，僅僅看帶隙寬窄是無法判斷光電轉(zhuǎn)換效率高低和光催化劑活性好壞的。 |
13樓2013-02-28 13:34:40
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
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10樓2012-11-24 22:21:31
3樓2012-11-23 14:29:09
4樓2012-11-23 15:09:56
pzypdl
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crykro: 金幣+2, S8的這個我知道，劉崗博士在Jacs上發(fā)的 2012-11-23 18:33:50
cxqtitan: 金幣+1, 謝謝回帖 2012-11-23 18:56:38
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crykro: 金幣+2, S8的這個我知道，劉崗博士在Jacs上發(fā)的 2012-11-23 18:33:50
cxqtitan: 金幣+1, 謝謝回帖 2012-11-23 18:56:38
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現(xiàn)在Si，P，S三單質(zhì)都已經(jīng)用來做可見光催化了，現(xiàn)在有人現(xiàn)研究碘！傳統(tǒng)的金屬氧化物，硫化物以及多元組分的催化劑目前都基本上已經(jīng)被挖掘光了，但是追求新的光催化劑的熱度不減，開始轉(zhuǎn)向?qū)ふ覇钨|(zhì)組分作為光催化劑了，金以及銀為代表的等離子光催化劑是典型金屬單質(zhì)催化劑的代表！下面這個S的。好的催化劑要有一定的吸附性能，電子空穴轉(zhuǎn)移能力，催化劑的穩(wěn)定性等原因非金屬單質(zhì)做催化有很多操作上的難點。 http://www.gaoyang168.com/bbs/attachment.php?tid=4574672&aid=11803 |
5樓2012-11-23 15:26:35
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crykro: 金幣+1 2012-11-23 18:34:49
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crykro: 金幣+1 2012-11-23 18:34:49
cxqtitan: 金幣+1, 謝謝回帖 2012-11-23 18:56:47
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6樓2012-11-23 18:17:04
7樓2012-11-23 21:29:06
8樓2012-11-24 20:50:45
9樓2012-11-24 20:57:04
11樓2012-11-25 08:21:21
12樓2013-02-27 15:14:06
14樓2013-04-23 10:33:28
15樓2013-10-29 00:23:34
簡單回復(fù)
yylex2樓
2012-11-23 14:21
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