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[求助]
請教一下關(guān)于用AAO模板電沉積CuInSe2的問題!
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| 請問有沒有蟲友用電沉積的方法制備過CuInSe2。课易罱谟肁AO模板電沉積CuInSe2,但是做出來的效果一直不好。想進(jìn)到孔里面似乎很難,基本都在表面。想請教一下大神,這是什么原因?還有怎么控制比較好的元素比例,貌似沉積的元素比例不是非常符合1:1:2!謝謝! |

金蟲 (著名寫手)
至尊木蟲 (知名作家)
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很多做AAO電沉積都會遇到你這個問題,溶液很難進(jìn)入納米級孔道中,其原因是孔道中有空氣,因此,當(dāng)背面電極步驟完成后,將模板放在一個真空腔(瓶)中減壓抽空一段時間后,再滴加溶液,在這種負(fù)壓狀態(tài)下,溶液才能進(jìn)入孔內(nèi)。 我沒有做過你這個實(shí)驗(yàn),據(jù)推測,你需要控制各種離子的濃度和沉積電位,這些離子的沉積電位是不同的,因此,需要根據(jù)它們的標(biāo)準(zhǔn)電位和濃度關(guān)系,計(jì)算出合適的濃度比例。 此外,加電方式也可以考慮,如果是控制電流的話,考慮脈沖方式,或其他波形。 |



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